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91.
本文设计了一种基于BiCMOS技术的分频器,结合了双极(Bipolar)和CMOS技术的优点。作为分频器的基本单元,锁存器的工作速度直接影响了分频器的性能。通过分离跟踪差分对与交叉耦合对,并减小后者的偏置电流可以提高锁存器的工作速度。同时,合并两个锁存器的跟踪差分对可以减小分频器的功耗。采用0.8μm BiCMOS模型在Cadence SPECTRE中仿真,可以得到这种新型高速低功耗分频器的工作频率上限可以达到2.4GHz,功耗为-1.61dBm。 相似文献
92.
复合侵染的蚕豆黄花叶病病原诊断 总被引:1,自引:0,他引:1
应用透射电镜、ELISA和RT-PCR技术对浙江丽水的蚕豆黄化花叶病株进行了病原诊断,电镜负染色发现病株汁液中存在线状和球状两种病毒粒子,线状粒子长度在600nm~800nm的占73%,球状粒子直径约26nm;超薄切片观察到细胞质中存在Ⅱ型风轮状内含体及大量电子致密无定型体,还有线粒体增生聚集和膜结构的增生,两类细胞病变现象出现在相邻细胞中;用BBWV 2的单克隆抗体对病汁液ELISA检测结果为阳性反应;用Potyvirus通用引物进行RT-PCR检测有1.7kb特异性扩增片段产生.根据以上结果诊断病原为蚕豆萎焉病毒2(BBWV 2)和菜豆黄花叶病毒(BYMV),二者为复合侵染. 相似文献
93.
在室温下对干燥的一年生矮种长春花种子进行了静高压氮气处理,压力分别为10、20、30 MPa,保压4 h。将各处理组与未经高压处理的对照组种子同时在相同的自然条件下进行播种培育。详细观察对比了各组植株的花形等性状,用高效液相色谱检测了生长旺盛期植株中长春碱和长春新碱的含量,另外还观察了剪枝后再生植株的生长性状。结果表明:种子经高压处理的各组长春花植株中的长春碱含量都有显著增加;长春新碱含量也有提高趋势。这种变化与花形改变和再生植株患病率的分布有一定程度的对应关系。初步认为植株体内长春碱含量的提高可能与高压导致的愈伤组织有关。 相似文献
94.
在某些情况下斯特林制冷机采用间歇式工作方式,以延长卫星在太空中的服务年限,因此由斯特林机致冷的低温半导体器件如HgCdTe中长波红外探测器会经受成千上万次从-173℃以下到常温的温度循环,这个过程可能会造成器件的失效.为了研究器件的失效机理和可靠性,帮助筛选器件,本文介绍了一种自制新型的温度循环实验设备,型号TCE-a.经过数千次温度循环,设备满足器件筛选实验要求. 相似文献
95.
非线性拉曼激光雷达测量CO2气体的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
提出了利用气体的受激拉曼散射(SRS)效应激光雷达光源来探测大气中的CO2气体的新方法,设计出探测大气中CO2气体含量的非线性拉曼增益激光雷达,用Nd:YAG激光器(1064 nm)的三倍频光(354.7 nm)通过分别装有CO2气体和N2气体的拉曼管,分别得到CO2气体和N2气体的受激拉曼散射的一阶斯托克斯线(S1),并用S1线作为雷达的种子发射光源.通过实验得到拉曼管中的气压与S1能量的变化关系,对其优化条件和物理机制进行了分析.该实验方法已经成功测出了大气中CO2气体的回波电压信号. 相似文献
96.
基于Raman激光雷达反演大气污染气体浓度几种方法 总被引:6,自引:6,他引:0
筊aman激光雷达是探测大气污染气体的一种重要方法,雷达回波反演是其中的重要步骤,反演的关键在于正确得到透过率指数因子。以消光系数为中心的三个方案,介绍了目前已普遍采用的方法、应用532 nm大气消光系数间接求取α(λ1,z)和α(λ2,z)。提出了两种新方法:(1) 采用拉曼波长与待测气体相近的参考气体,α(λ1,z)=α(λ2,z);(2) 借助λ1和λ2的Mie-Rayleigh散射回波求取指数因子。 相似文献
97.
利用平场光栅谱仪,分别在2和3 kPa的低气压下,测量了脉宽35 fs的圆偏振超强超短激光脉冲与5 mm长氙气体靶相互作用产生的波长在5~60 nm范围内的离子谱线。2 kPa时最强的跃迁为XeⅧ:4d105s(2S1/2)—4d95s5p(2P3/2)的17.085 6 nm线,3 kPa时最强的跃迁为11.343 nm的XeⅦ 4d105s2(1S0)—4d95s25f(3P1)跃迁。两种气压下,Xe均被电离到XeⅦ,XeⅧ,XeⅨ态。 相似文献
98.
介绍了一种高速7位DAC的设计及芯片测试结果,该DAC选取高5位单位电流源,低2位二进制电流源的分段结构。考虑了电流源匹配、毛刺降低以及版图中误差补偿等方面的问题来优化电路。流片采用0.35μmChartered双层多晶四层金属工艺,测试结果表明在20 MH z的采样频率下,微分非线性度和积分非线性度分别小于±0.2 LSB和±0.35 LSB。该DAC的满幅建立时间是20 ns,芯片面积为0.17 mm×0.23 mm。电源电压为3.3 V,功耗为3 mW。 相似文献
99.
100.