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141.
介绍了一种基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺的,可应用于高速通信的25 Gb/s可变增益放大器(VGA).该放大器由核心电路、输出缓冲器和偏置电路组成,核心电路采用改进型Gilbert结构,增大了电路的增益动态范围;同时采用电感峰化技术克服大寄生电容来实现宽带特性.后仿真结果表明,该可变增益放大器的最大增益为20.15 dB,-3 dB带宽(BW)为26.8 GHz,可支持高达25 Gb/s的数据速率,在3.3 V电源电压下的功耗为26.4 mW,芯片大小为1 120 μm×1 167 μm. 相似文献
142.
随着配电自动化建设规模的不断扩大,需要对馈线自动化保护整定方案进行合理规划,以提升配电网的供电可靠性。为此,对电压-时间型馈线自动化柱上分段开关的技术手段和自动化配置方案进行探究,应用重合闸时序图对电压-时间型柱上分段开关的保护整定方案及计算方法进行分析。案例分析结果表明,本文所提电压-时间型馈线自动化柱上分段开关的保护整定方案合理有效,对工程应用具有重要指导意义。 相似文献
143.
为了研究握力运动过程中脑功能网络(Brain Functional Network,BFN)的动态变化特征及对握力运动参数任务识别的影响,提出一种加权相位滞后指数法构建动态脑功能网络.通过对预处理的EEG时间序列按照一定的非重叠窗口截断成等长的子时间序列,按时间顺序,利用相位同步特性对所有子序列进行筛选;筛选出的有效数据段用加权相位滞后指数法估计功能连接大小,构建相应节点的脑功能网络;提取4种不同网络特征参数,对其进行串行融合获得特征向量;最后以支持向量机作为分类器进行分类.与静息态和不均匀子时段划分方法相比,所提方法的平均识别率提高到了74%. 相似文献
144.
145.
声表面波(SAW)延迟线作为传感器可对传感器进行编码,从而实现多点分布式测量,因而受到广泛研究。该文采用128°Y-X切向LiNbO3作为压电基底,制备了不同对数的叉指换能器(IDT)的SAW延迟线,并研究了其应变特性。研究结果表明,IDT对数为10对、20对、30对时,SAW延迟线应变灵敏度分别为1.727 5 ps/με、2.046 7 ps/με、3.256 6 ps/με。SAW延迟线的应变特性和应变方向与声波传播方向间的夹角有关,夹角为0°时,延迟时间随应变的增大而增大;夹角为90°时,延迟时间随应变的增大而减小。利用夹角分别为0°和90°的SAW延迟线构成了差分结构的应变传感器。测试结果表明,该差分结构可抵消温度的影响,即温度变化时也可获得准确的应变。该文研究的差分结构延迟线有望在温度波动环境中测试应变时得到应用。 相似文献
146.
直扩接收机基带迟早门跟踪环的简化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
针对要求设计简化、资源有限的设备和系统 ,通过对直扩接收机基带迟早门跟踪环的性能分析 ,在扩频增益比较大时 ,提出了一种简化设计结构 ,用两个由扩频码的部分序列构成的相关器分别替代原来早门和迟门的完全序列相关器。仿真表明该结构在给定足够的相关值情况下 ,性能略有恶化 ,但资源却得到较大节约 ,设计可大大简化。 相似文献
147.
采用传统固相法成功制备了(1-x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.05Ti0.95)O3-xYMnO3(BCZT-YMn)无铅压电陶瓷,研究了YMnO3掺杂对BCZT陶瓷相结构及电性能的影响。结果表明,陶瓷在相变中出现了铁电性优化的现象,当x=0.060时,获得了较佳的铁电性能,外加电场强度为4kV/mm时,其剩余极化强度为18.03μC/cm2,矫顽电场强度为0.9kV/mm,室温下介电常数为3 375,最大介电常数为3 507。当x>0.060时,铁电性突变消失,介电性出现居里峰展宽的现象,同时居里温度亦随之变化。 相似文献
148.
149.
认为当采用低频段的射频资源时,色散导致的双边带功率衰落对正交频分复用无源光网络(OFDM-PON)的影响很小。基于时分复用(TDM)架构的OFDMPON,充分利用正交频分复用(OFDM)技术的优势与TDM架构的无色性,与现有的以太网无源光网络(EPON)、千兆比无源光网络(GPON)兼容性高,是解决上行无色性传输的最优方案。基于OFDM的时波分复用无源光网络(TWDM-PON)充分利用了OFDM调制优势,用来提升单载波容量,在不改变TWDM-PON系统结构情况下,实现100 Gbit/s的高速接入,是未来无源光网络的重要候选方案。 相似文献
150.