电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜

采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜.薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14～92.05％,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大.霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59 cm2V-1s-1.     

基于MSRCR理论的算法实现

色彩恢复多尺度Retinex算法(MSRCR)是在单尺度Retinex算法(SSR)和多尺度Retinex算法(MSR)的基础上进行的改进和增强,其能明显改进上述2种算法的图像偏色效果并扩大图像的动态范围,使图像的明、暗区域细节都能得到很好的体现.给出一种改进的基于MSRCR理论的算法实现,实验表明,该算法实用性强,在图像对比度和细节增强方面都有很好的效果.     

聚合物结构对PDLC性能的影响

用光聚合诱导相分离法制备了3种不同聚合物基体的聚合物分散液晶(PDLC)膜,研究了液晶含量和固化时间对PDLC透光率及膜形态的影响,考察了不同聚合物基体对PDLC电光性能的影响。结果表明,聚合物单体反应活性越高,达到关态下最低透过率所需的固化时间越短,丙烯酸仅需10 s,而甲基丙烯酸甲酯却需360 s;聚合物与液晶颗粒之间的相互作用越强,PDLC膜的阈值电压越高,丙烯酸的阈值电压至少是其他两者的5倍。     

海杂波背景下基于FRFT的自适应动目标检测方法

本文主要研究了海杂波背景下微弱动目标检测问题,将基于统计理论的LMS算法和基于分数阶Fourier变换的动目标检测方法相结合,引入到海杂波微弱动目标检测中,并在此基础上提出一种分数阶Fourier域自适应动目标检测算法.首先建立了时变幅度的动目标检测模型,采用峰度检测的方法,通过计算目标回波分数阶Fourier域幅值的峰度值,分级迭代运算,确定最佳变换角度,既保证了参数估计精度,又降低了计算量.然后,构造分数阶Fourier域自适应谱线增强器,抑制海杂波,提高信杂比;将泄漏因子引入到加权矢量的迭代公式中,降低记忆效应对谱线增强器的影响;并对自适应步长进行功率归一化,提高收敛速度;输出信号在分数阶Fourier域与门限进行比较后判断目标的有无,估计出目标的运动参数.最后,采用X波段IPIX雷达海杂波数据进行验证,结果表明算法具有较快的收敛速率和较小的均方误差,在低信杂比条件下(sCR=-5dB)具有较高的检测概率(Pd=0.9),证明了算法的有效性和稳健性.     

分析宽频带、双极化、恒束宽四脊喇叭的混合方法

介绍了作为反射面天线馈源的宽频带、双极化、恒波束四脊喇叭，运用有限元和模式匹配相结合的混合法详细且计算了四脊喇叭的广义散射矩阵。然后运用口面积分计算了四脊喇叭的辐射远场，给出了四脊喇叭和用四脊喇叭做馈源的反射面天线的实测结果。     

一种基于LINC发射机系统的信号分离实现方法

LINC发射机是使用非线性但是高效率的射频功率放大器来实现信号的线性放大。在LINC系统中,信号分离部分(SCS)是LINC系统中非常重要的信号处理过程,直接影响LINC系统线性度及效率的提高。对目前存在的几种信号分离实现方法就占用逻辑资源、运行速度等方面进行比较后,采用了一种优化实现方法,并对信号分离部分及LINC系统做出了仿真论证,完成了LINC线性高效功率放大。     

多种物质的远红外吸收研究

根据散射理论,描述了多种物质对红外入射的吸收问题。首先通过计算单个粒子的有关参数,推导出了一定条件下气悬体粒子随参量变化时的透射关系,进而计算出一定入射波长条件下某些远红外材料的最低透射率,从绘制的透射率曲线看出,每个连续的透射率曲线都有一个最小值。显然,选择对应的粒子直径可以为烟幕加工提供理论上优化的依据。最后给出了实验结果。     

光电成像系统激光有源干扰技术及其计算机仿真

从电子对抗的角度探讨了激光杂光对成像系统成像效果的影响,并利用计算机对其干扰效果进行了仿真。实验及仿真结果表明,激光杂光可以实现视场外对光电成像系统的有效干扰,并使成像系统的输出呈现成面积的干扰效果。     

基于影响力形成的论坛意见领袖识别

为了在网络论坛中提取意见领袖,文中通过抽象模拟论坛舆论意见领袖影响力的形成过程,建立了影响力向量模型,进而提出了可以利用影响力向量的模和方向这对参数来筛选意见领袖,并以天涯论坛某日的一个话题为研究个案,阐述了该参数的选择依据。再通过聚类分析比较不同类型的论坛舆论参与者的特点,将分析结果与提出模型筛选的结果相比对,论证文中方法结果的有效性和准确性,反应出文中提出参数的优越性。     

光电材料的俄歇电子谱分析

俄歇电子能谱(AES)是测定固体表面元素组分的分析技术。由于AES具有很高的空间分辨率和表面灵敏度,并可以通过离子束溅射刻蚀获得组分深度剖面分布,所以它在各种材料,特别是微电子材料、光电子材料和纳米薄膜材料的分析中应用广泛。文章详细地介绍了PHI595型多探针俄歇电子能谱仪及其在光电子材料分析中的应用。