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11.
研究了Banach空间中非线性混合型微分-积分方程初值问题u′=f(t,u,Tu,Su),u(0)=x0的整体解,完全没有要求f的任何增性,利用Mnch不动点定理和比较结果得到了初值问题整体解的存在性和唯一解,并且给出了一致收敛于唯一解的迭代序列,改进推广和统一了已有的许多结果.  相似文献   
12.
郝哲 《力学与实践》2004,26(3):27-29
针对柱面注浆方式,研究了有关渗透注浆的单孔复注及不同方式布孔时多孔注浆的相互影响等问题,推导出一些有价值的岩体注浆理论公式,可用于指导现场注浆工程的设计与施工.  相似文献   
13.
制作高密度衍射光栅的光电式刻划控制的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
高精度的光电式刻划控制系统是制作高密度母光栅的关键技术,以光栅干涉仪为控制核心,设计了光电式的光栅刻划控制系统,并对可能产生的加工误差进行了初步的分析;采用该控制系统的光栅刻划实践表明,所设计的光电式刻划控制系统已完全达到了高密度衍射光栅的亚微米栅距分度要求。  相似文献   
14.
利用爆磁压缩发生器产生高功率脉冲高电压   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 爆磁压缩发生器产生脉冲高电压技术可以用于产生高功率微波及强电磁脉冲的实验研究。给出了利用螺旋型爆磁压缩发生器(HEMG)驱动电爆炸丝功率调节系统产生高功率脉冲高电压的实验方法和主要的结果。在利用HEMG驱动电爆炸丝断路开关(EEOS)产生脉冲高电压实验中,获得了最高电压700~800kV,功率大于20GW的脉冲输出。  相似文献   
15.
The relation of the isoelectric point (IEP) and the point of zero net charge (PZNC) of the hydrotalcite-like compounds was discussed. It was found that the IEP does not equal to the PZNC and the IEP is higher than the PZNC. The structural positive charges existing in the HTlc,which cause the difference between the IEP and the PZNC. The effects of the structural positive charges of the HTlc on its IEP and PZNC are the same as the specific adsorption of metal cations.  相似文献   
16.
多小波变换及其在信号滤波中的应用   总被引:5,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
谢荣生  孙枫  郝燕玲 《电子学报》2002,30(3):419-421
多小波拥有对称性、正交性、有限支撑等这些信号处理中十分重要的特性,从而弥补了单小波的不足,具有更为广阔的应用前景.本文从滤波的角度,重点分析并设计了多小波预滤波与多小波分解系数处理方法.仿真表明多小波分析方法的优越性.  相似文献   
17.
丁武  郝建红 《强激光与粒子束》2004,16(10):1325-1330
 研究了M个束、N个共振腔的多束速调管(MBK)的增益和带宽,得到了描述小信号增益和带宽与器件结构参数和电子束参数关系的公式,给出了在不同参数下增益随频率的变化曲线。分析了多腔对增益,多束对带宽的影响。计算结果表明:多腔可以提高增益;多束可以降低Q值,从而可以增中带宽,带宽增加工了3.6%,还可以提高增益;对于MBK,频率交叉调谐对增加带宽不如频率调谐好;空间电荷波只对增益有影响,对带宽没有影响。最后,预估一种L带多束速调管的增益带宽为8.1%。  相似文献   
18.
开放式微波消解与干灰化法消解测量食品中铅的方法比较   总被引:1,自引:0,他引:1  
对开放式微波消解法与干灰化法消解测量食品中铅的方法进行了比较,试验表明,前者操作简易,试验周期短,在测量精度和加标回收率方面两种方法无显著性差别。  相似文献   
19.
文章概述了个人手持电话系统(PHS)的发展过程,对其最新技术进行了介绍,并在对PHS数据通信业务的发展及运营策略进行深入分析和探讨的基础上,展望了该业务的应用前景.  相似文献   
20.
金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
利用磁控溅射产生金属Cu团簇,同时蒸发半导体介质CdS,将Cu团簇包埋在CdS介质中,制备出金属颗粒 半导体膜.团簇大小可通过改变溅射气压控制.用TEM研究了嵌埋团簇的结构.分析表明:CdS很好地包埋了Cu团簇,都呈多晶结构;团簇尺寸在5—20nm,Cu晶格发生了膨胀,膨胀量在7%左右 关键词:  相似文献   
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