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81.
82.
Qi Yongcheng 《数学年刊B辑(英文版)》1998,19(4):499-510
1.IntroductionLet{X.,n21}beasequenceoflidry'swithanondegeneratedistributionfunctionF(x).Supposethereexistsomeconstantsan>0,b.6RandsomeacERsuchthatwhereG.standsforoneoftheextremevaluedistributions:Heretheindex7ERisarealparameter(interpret(1 box)--'/ryase--"for7~0).Theestimationoftheextreme-valueindex7isveryimportantbothintheextremevaluetheoryandinpractice.Manystatistics,suchasHillestimator(forcaseac>0),PickandsestimatorandDekkers-EinmahLdeHaan'smomentestimatorwhicharebasedonafinitesample,… 相似文献
83.
ON A PAIR OF NON-ISOMETRIC ISOSPECTRAL DOMAINS WITH FRACTAL BOUNDARIES AND THE WEYL-BERRY CONJECTURE
ONAPAIROFNONISOMETRICISOSPECTRALDOMAINSWITHFRACTALBOUNDARIESANDTHEWEYLBERRYCONJECTURESLEEMAN,B.D.CHENHUAManuscriptrec... 相似文献
84.
85.
86.
A. Negr n-Mendoza G. Albarran S. Ramos-Bernal 《Radiation Physics and Chemistry》1993,42(4-6):1003-1006
The effect of clay on the radiolysis of malonic acid solutions was studied. The results showed an enhanced of decarboxylation rather than condensation reactions. 相似文献
87.
对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力. 相似文献
88.
Nagendranath Mahata V. Vishwanathan 《Journal of molecular catalysis. A, Chemical》1997,120(1-3):267-270
Kinetics of vapor phase hydrogenation of phenol to cyclohexanone over Pd/MgO system has been studied in a flow microreactor under normal atmospheric pressure. The reaction rate is found to be negative order with respect to the partial pressure of phenol and has increased from −0.5 to 0.5 with increasing temperature (473 to 563 K). The apparent activation energy (Ea) of the process is found to be close to 65 kJ per mol. On the basis of kinetic results a surface mechanism is proposed. 相似文献
89.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
90.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献