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通过延拓为奇函数和恰当的函数两种方式对弦的两端点进行延拓,运用达朗贝尔公式解决了一端固定,另一端作受迫振动Asin ωt的有界弦振动的定解问题,通过计算结果表达式直接得出了描述有界弦振动运动的物理量,直观分析出弦振动的运动过程.同时对该问题进行了拓展,运用行波法解决了一端为齐次的第一类或第二类边界条件另一端为非齐次边界条件的定解问题. 相似文献
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用绝对频率精度优于1.2MHz的CO_2激光边带光谱仪记录了SF_6分子v_3带Q支的多普勒受限吸收谱,光谱范围在CO_2激光10P(16)支线中心两侧,距支线中心8.0~12.4 GHz。用内插法以<6MHz的均方误差测量了百余条跃迁谱线的频率,并标识出Q_Z、Q_R、Q_X、Q_W、Q_A等亚支的谱线,量子数J从26到83。用最小二乘法拟合实验数据得到了v_3带的部分光谱常数。 相似文献
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在 p H4 .8的邻苯二甲酸氢钾 - Na OH介质中 ,非离子表面活性剂 Tween- 80存在下 ,7- (苯并噻唑 - 2 -偶氮 ) - 8-羟基喹啉 - 5 -磺酸 (BTAQS)与镉形成 2∶ 1的紫红色配合物 ,其最大吸收波长 λmax=5 6 0 nm,表观摩尔吸光系数为 8.71× 10 4L· mol-1·cm-1,镉含量在 0— 6 μg/ 10 m L范围内服从比耳定律。用于矿样中镉的测定 ,相对误差小于 3% ,相对标准偏差小于 2 .5 % (n=5 )。 相似文献
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Improved Resistive Switching Characteristics of Ag-Doped ZrO2 Films Fabricated by Sol-Gel Process 下载免费PDF全文
SUN Bing LIU Li-Feng HAN De-Dong WANG Yi LIU Xiao-Yan HAN Ru-Qi KANG Jin-Feng 《中国物理快报》2008,25(6):2187-2189
Ag-doped and pure ZrO2 thin films are prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by sol-gel process for resistive random access memory application. The highly reproducible resistive switching is achieved in the 10% Ag-doped ZrO2 devices. The improved resistive switching behaviour in the Ag doped ZrO2 devices could be attributed to Ag doping effect on the formation of the stablefilamentary conducting paths. In addition, dual-step reset processes corresponding to three stable resistance states are observed in the 10% Ag doped ZrO2 devices, which may be implemented for the application of multi-bit storage. 相似文献
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A class of twisted special Lagrangian submanifolds in T~*R~n and a kind of austere submanifold from conormal bundle of minimal surface of R~3 are constructed. 相似文献
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We consider the following initial boundary problem of derivative complex Ginzburg-Landau (DCGL) equation 相似文献