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本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。 相似文献
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机载导弹逼近红外告警系统发展现状 总被引:2,自引:1,他引:1
为了有效对付地空、空空导弹威胁、国外在50年代中期就开始研制红外告警设备。目前已广泛装备部队。综述了导弹逼近红外告警系统发展现状。 相似文献
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等距码的对偶距离分布及其性质 总被引:5,自引:2,他引:3
本文主要讨论了等距码的对偶距离分布及其性质,然后利用这些性质将[1]中的某些结果推广到q元等距码情形,并得到了其对偶距离分布的递推关系式,最后,本文给出了q元等距码的码字数目的一个上界。 相似文献
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Tan Fu Lei Tang Po Chen Horng-Chih Lin Chun-Yen Chang 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(12):2104-2110
A new material, Si-B, is proposed as a solid diffusion source for fabrication of poly-Si contacted p+-n shallow junctions. The junction depth of the Si-B source diode has been measured and compared with that of a BF2+-implanted poly-Si source diode. It was found that the Si-B source diode had a much shallower junction and was less sensitive to thermal budget than the BF2+ source diode. This was attributed to the smaller surface concentration and diffusivity of boron in the silicon in Si-B source diodes. Regarding electrical characteristics of diodes with a junction depth over 500 Å, a forward ideality factor of better than 1.01 over 8 decades and a reverse-current density lower than 0.5 nA/cm2 at -5 V were obtained. As the junction depth shrank to 300 Å, the ideality factor and reverse current density of diodes increased slightly to 1.05 and 1.16 nA/cm2, respectively. These results demonstrated that a uniform ultrashallow p+-n junction can be obtained by using a thin Si-B layer as a diffusion source 相似文献
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集群移动通信系统的组网设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对集群移动通信系统在组网设计时应考虑的问题进行了分析,并提出了具体步骤和方法,可供集群系统组网设计时参考。 相似文献
80.
本文报道了一种测角单晶NMR探头。该探头采用单线圃双调谐电路,工作频率在90MHz-110 MHz连续可调,可进行交叉极化大功率去耦实验。文中提出了一种简单而有效的测角装置,可使单晶绕三个互相垂直轴转动实现单晶的NMR测量。作为典型的应用例子,本文利用该探头实现了单晶DGO(2NH2CH2COOH·H2C2O4)屏蔽张量的测量。 相似文献