Nowhere zero 4‐flow in regular matroids

Jensen and Toft 8 conjectured that every 2‐edge‐connected graph without a K₅‐minor has a nowhere zero 4‐flow. Walton and Welsh 19 proved that if a coloopless regular matroid M does not have a minor in {M(K_3,3), M*(K₅)}, then M admits a nowhere zero 4‐flow. In this note, we prove that if a coloopless regular matroid M does not have a minor in {M(K₅), M*(K₅)}, then M admits a nowhere zero 4‐flow. Our result implies the Jensen and Toft conjecture. © 2005 Wiley Periodicals, Inc. J Graph Theory     

}MSo浸种对大麦种子萌发及若干性状的影响

本文报道二甲亚矾(DMSO)浸种影响大麦“早熟3号”种子的萌发以及浸种后种子的渗漏和呼吸强度等的变化.结果表明:在24℃条件干浸种，。.1%和5芳的DMSO明显促进种子的萌发，5劣DMSO浸种的促进作用尤为明显.然而这种影响效应在zs c条件下浸种则完全相反，对种子萌发有抑制作用，表现明显的温度效应.     

一种漂移室定位子性能反常现象的研究

研究了一种漂移室定位子性能的反常现象,它关系到定位子的使用寿命．着重测量了暗电流和随机噪声与时间、高压及温度的关系.     

第I类非自共轭锥上的Gamma函数

本文将Ｇａｍｍａ函数及Ｓｉｅｇｅｌ积分推广到一般的第Ｉ类非自共轭锥上．作为其应用，显式给出了以这些锥为底的管状域（或第一类Ｓｉｅｇｅｌ域）的Ｃａｕｃｈｙ Ｓｚｅｇ¨ｏ核和形式Ｐｏｉｓｏｎ核．     

光接入网中DWMT调制技术的研究

研究了光纤－电缆调制解调器接入技术的上行信道调制方式，分析了离散小波多音（DWMT）调制与其它调制方式相比所具有的特点和优势，提出了DWMT调制解调器的实现模型，设计了使用DWMT调制解调器的光纤－电缆调制解调器双向传输的系统方案；并对DWMT调制的系统特性进行了计算机仿真分析。仿真结果表明，DWMT调制是一项能有效实用于光纤－电缆调制解调器系统上行信道的技术。     

HoYb:YVO4的上转换发光研究

研究了960nm激光激发下HoYb双掺钒酸钇晶体HoYb:YVO4的直接上转换增敏发光,发现了Ho3+离子的上转换发光现象,HoYb:YVO4晶体的上转换发光是5F5→5I8最强,而5S2→5I8相对小了一个数量级,这是由于YVO4晶体既有很强的振子强度又有很大的多声子无辐射弛豫造成的. 关键词： 上转换发光 直接增敏(敏化) 钒酸钇YVO4晶体 Ho3+离子     

防紫外线伞ATR-OMNI采样器的FTIR分析

本实验使用OMNI采样器，直接对伞面内外进行单反射ATR的分析，快速、简便、不破坏样品，得到分辨率很好的红外图谱，再配合红外谱库的谱图检索，可以分别得到匹配率95％以上的尼龙－6和聚酯型聚氨酯的分析结果。     

扫描激光雷达的视场角和角分辨率研究

分析了出瞳扫描方式扫描视场角与激光雷达光学系统参数的关系，认为最大扫描视场角比主天线望远镜静态视场角小，在信号过程线性的前提下，根据强度像的瑞利判据提出了扫描激光雷达角分辨率公式建议。对主要结论都进行了实验验证。     

Modeling of current-voltage characteristics for strained andlattice matched HEMT's on InP substrate using a variational chargecontrol model

A model for the calculation of the current-voltage characteristics of strained In_0.52Al_0.48As/In_xGa_1-xAs on InP substrate High Electron Mobility Transistors (HEMT's), based on a variational charge control model, is presented. A polynomial fit of the two-dimensional electron gas (2DEG) density is used for the calculation of the current-voltage characteristics. The effect of strain is introduced into the 2DEG density versus gate voltage relation. Very good agreement between the calculated and measured I-V characteristics was obtained. In addition, our results show that, for an indium mole fraction of the In_xGa_1-xAs channel in the range 0.53-0.60, increasing the indium mole fraction lowers the threshold voltage and hence increases the drain current at the same gate bias