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71.
Raman spectra of ceramic Sr2Bi4Ti5O18 (SBTi5) are reported to consist of four different Raman bands. Temperature-dependent spectra reveal the relationship between the lattice vibration and the material's structure. There appears a relatively large change in structure of the material at about 273K, The anharmonic potential of the material has a great influence on its phonon mode full width at half maximum (FWHM), which can be expressed by a function of temperature. Theoretical fittings of the FWHMs for the two modes at around 312 cm^-1 and 464cm^-1 indicate that the latter phonon mode is more anharmonic than the former one. 相似文献
72.
计算全息图产生的锥面波在激光准直中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了用计算全息图产生锥面波的方法.将全息图置于激光光路中,它的衍射图样中心在空间形成了一条准直线.文中对锥面波的传播、准直精度及准直距离作了理论分析,给出了实验结果. 相似文献
73.
利用不同能量的质子在大气环境中辐照拟南芥的含水种子,能量从1.1MeV到6.5MeV.根据模拟计算结果,相应能量的离子对种子的损伤区域分别为胚的浅层、胚的一半和整个胚.本实验中,具有较高能量的质子可以完全均匀地作用于拟南芥生长、发育及遗传密切相关的胚茎端分生组织,而能量较低的质子则不能直接作用于茎端分生组织.实验所用质子注量范围为4×109ions/cm2—1×1014ions/cm2.实验结果显示,虽然拟南芥种子的发芽率和幼苗存活率随离子注量增加都呈现下降的趋势,但对应于不同的胚损伤区域,即在不同的入射质子能量条件下,注量曲线具有各自的特征.实验结果显示,拟南芥种子中除了胚茎端分生组织作为对离子辐照敏感的辐射主靶外,茎端分生组织之外的胚区域可能作为离子辐射次靶,影响到最终的辐射生物学效应.
关键词:
离子辐照
拟南芥
胚区域
生物效应 相似文献
74.
谷超豪 《中国科学A辑(英文版)》2002,45(6)
The Darboux transformations for soliton equations are applied to the Yang-Mills-Higgs equations.New solutions can be obtained from a known one via universal and purely algebraic formulas. SU(N) soliton solutions are constructed with explicit formulas. The interaction of solitons is described by the splitting theorem:each p-soliton is splitting into p single solitons asymptotically as t →±∞. 相似文献
75.
Gu Chaohao 《数学年刊B辑(英文版)》1994,15(4):385-400
COMPLETEEXTREMALSURFACESOFMIXEDTYPEIN3-DIMENSIONALMINKOWSKISPACE¥GUCHAOHAO(InstituteofMathematics,FudanUniversity,Shanghai200... 相似文献
76.
用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0~10%HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120~300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)~1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6%HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。 相似文献
77.
GaAs亚微米自对准工艺技术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。 相似文献
78.
A method of controlling the spot-size of a focused microwave Gaussian-beam using an active aperture-blockage is described. The Gaussian-beam launcher consists of an open-ended scalar-horn with a dielectric hyperhemisphere at its aperture. Also included is an AgI-pellet at the aperture-center with a provision to heat it with an external dc source. The scalar-horn plus the dielectric lens launch a Gaussian-beam; and, the AgI pellet when heated, becomes a superionic conductor offering an aperture-blockage. This results in a variation of the spot-size of the emergent-beam. Theoretical results and experimental data are furnished and compared 相似文献
79.
Wenran Feng Chizi Liu Guangliang Chen Guling Zhang Weichao Gu Erwu Niu Si-Ze Yang 《Applied Surface Science》2007,253(11):4923-4927
Hard films prepared by pulsed high energy density plasma (PHEDP) are characterized by high film/substrate adhesive strength, and high wear resistance. Titanium carbonitride (TiCN) films were deposited onto YG11C (ISO G20) cemented carbide cutting tool substrates by PHEDP at room temperature. XRD, XPS, SEM, AES, etc. were adopted to analyze the phases (elements) composition, microstructure and the interface of the films, respectively. The results show that, the uniform dense films are composed of grains ranging from 70 to 90 nm. According to the AES result, there is a broad transition layer between the film and the substrate, due to the ion implantation effect of the PHEDP. The transition layer is favorable for the film/substrate adhesion. 相似文献
80.