有自聚焦功能的付里叶计算全息

在制作付里叶计算全息过程中，加入适当的二次位相因子，使此种全息图在相干光照明下就可预定的位置上只再现一个像，省略了过去丙现此种计算全息图必要的付里叶透镜，并且使两个互为共轭像分离，从而拓宽了此种计算全息的应用领域，实验结果与理论分析相符。     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

动态全息图快速引入背景条纹技术

音叉振动镜快速引入背景条纹的动态全息图两次曝光法，适用于一次泵浦的双脉冲全息干涉计量术．其背景条纹的密度和方向具有可调性和重复性．     

产生特殊聚焦图形的二元光学元件

通过面积编码将伽博（Gabor)波带片的透过率函数的余弦分布等效为二元分布，研制了能产生各种特殊聚焦图形的二元光学元件。根据透镜聚焦的物理原理制作的二元振幅型波带片可以方便地产生多种聚焦线，给出了相应的实验结果，并讨论了改善聚焦效果的优化条件。     

Complexes in polymers IV. FTIR microscopic characterization of thin organic polymer films containing embedded transition-metal carbonyl complexes

Thin films of polystyrene (PS), poly(methyl methacrylate) (PMMA) and polystyrene-polyacrylonitrile copolymer (PS-AN), containing various embedded transition-metal complexes, have been studied by FTIR microscopy. The spatial distributions of the transition-metal carbonyl complexes throughout the thin organic polymer films have been determined by a two-dimensional IR mapping procedure. The spectral variations observed in the distribution of the metal carbonyls throughout the different polymer films are discussed. The IR data show that the technique used to prepare the organometallic-embedded thin films (viz. freeze-drying of solutions followed by hot mechanical pressing of the residues) does in general lead to homogeneous films which may eventually find industrial application, e.g. as membrane sensors for small molecules.     

一类二维非线性Schrodinger方程的吸引子及其维数

本文研究了一类二维非线性Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程解的有限维行为，我们得到了此方程存在吸引子，并得到了此吸引子维数的上界估计     

短脉冲载荷下金属材料的层裂破坏

 本文用点炮加载聚酯薄膜飞片撞击金属靶材料，飞片速度0.714~2.24 km/s，脉冲宽度40~80 ns，击靶压力为2.280~11.952 GPa。在回收的铝、铜和钢靶样品上观察到层裂现象。通过金相分析发现它们的破坏方式与在一般较长脉冲加载下的破坏方式相似，铝和铜以延性方式破坏；钢则以脆性方式破坏。一维和二维数值模拟结果表明通常的几种层裂判据在这个应力、应变和应变率范围内也基本上适用。     

超声波在多糖降解及提取中的应用

本文支综合介绍了超声波在多糖降解和提取中应用的研究进展．着重对超声波在淀粉，壳多糖，细菌多糖的降解和真菌多糖的提取中的应用作了较详细的阐述．     

Simulation study of peak junction temperature and power limitationof AlGaAs/GaAs HBTs under pulsed and CW operation

The authors have used a 3-D transmission-line matrix (TLM) modeling method to study the junction temperature distribution and power limitation of device geometries with multiple embedded heat sources. Peak values of the junction temperature against the dissipated power density under both pulsed and CW operation are presented for a typical power AlGaAs/GaAs HBT structure. These data should facilitate the rapid determination of junction temperature for a given output power, which is of paramount importance in power device design     

三维射频加速腔程序包MAFIA的开发和应用

介绍了三维射频加速器计算机辅助设计(CAD)程序包MAFIA的特点、功能及其应用。用CAD的方法实现了射频加速器特别是非轴对称带耦合腔的加速器的三维腔形设计。同时介绍了节省内存、节约机时的模型方法,使得在中小型机器上运行大程序(八万条)成为可能。文章主要对L波段的加速腔进行了数值模拟,并和实验进行了比较,结果符合较好;通过三维数值模拟及图形模拟的方法比较了各种形状谐振腔的性能;计算分析了输入耦合腔及高阶模耦合器对加速腔电磁场分布等参量的影响;提出了加耦合器后谐振频率改变的补偿方法。