不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

完全非相干白光一维光生伏打暗空间孤子

使用白炽灯作光源在LiNbO₃∶Fe晶体内实验观察到一维白光光生伏打暗空间孤 子. 由奇数 和偶数初始条件分别产生了灰孤子和灰孤子对，它们所感应的波导能导向白光和相干光. 用 相干光清楚地探测到它们内部的多模结构. 该实验证明了白光光生伏打暗空间孤子的存在， 并指出了用完全非相干的白光暗孤子控制和导向相干光的可能性. 关键词： 光生伏打效应 自陷 完全非相干孤子 波导     

引入激光回馈的双光束干涉效应的研究

提出了一种引入He-Ne激光回馈的双光束干涉系统,并在理论和实验两方面进行了研究。实验中对系统中的干涉信号及激光器尾光功率变化同时进行探测。发现当干涉仪的主回馈镜移动时,激光器尾光信号是正弦形波形,而干涉仪输出的是以双峰为一个周期的信号,双峰中一峰总是高于另一峰,并且当主回馈镜移动方向改变时,同一周期中两峰出现的顺序也随之改变。对实验现象进行了理论分析,并模拟出干涉信号及激光自身功率的变化曲线。理论分析及模拟结果与实验结果完全吻合。讨论了利用发现的现象进行测量的可行性,所提出的测量方法易于实现。     

一类Feistel密码的线性分析

该文提出一种新的求取分组密码线性偏差上界的方法，特别适用于密钥线性作用的Feistel密码．该分析方法的思路是，首先对密码体制线性偏差进行严格的数学描述，分别给出密码线性偏差与轮函数F及S盒的线性偏差的数学关系；然后通过求取线性方程组最小重量解，确定密码线性偏差的上界．     

不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响

从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。     

基于保护分散式抽象方法的可扩展操作系统设计

为了提供高性能和柔性，操作系统内核应该只保留最小的功能，今天的操作系统大而低效，更缺乏柔性，我们提出了保护分散式操作系统抽象方法，集成了分散式操作系统抽象和保护抽象的方法，这种新的安全方式在分散式抽象系统里共享用户级的抽象，能够使非特权，不信任的任务在运行时定义并安全的共享生成的抽象，它在对相同的抽象重复调用时，通过消除上下文切换的需求和对通常情况进行优化，可获得较好的柔性，保护分散式抽象的设计强调简单并正确性证明，易于理解和使用，文章介绍了保护分散式操作系统抽象方法，并运用该方法开发了一个基于共享库的原型操作系统－ExLinux/LibOS.     

目标RCS动态数据的分布特征研究

复杂目标在不同视向的RCS分布特征是不同的，传统模型对此都没有给出详细的结果。文中以某歼击机和直升机为对象，应用X^2。分布、对数正态分布和瑞利分布模型，以及Kolmogomv拟合优度检验方法，研究其RCS动态测量数据的统计分布特征，得到了在一定显著性水平下，两种目标在不同视向角下对三种模型的拟合效果，同时得到应用X^2。分布拟合时模型半自由度随视向角的分布情况。在显著性水平为0．05时，对于在较短时间内录得的复杂目标动态RCS数据，应用X^2分布可以取得较好的拟合效果。文中结果精确地描述了目标RCS的起伏特征，能够为目标回波的精确模拟与检测提供可靠的依据。     

Structured low-density parity-check codes

This article describes the different methods to design regular low density parity-check (LDPC) codes with large girth. In graph terms, this corresponds to designing bipartite undirected regular graphs with large girth. Large girth speeds the convergence of iterative decoding and improves the performance at least in the high SNR range, by slowing down the onsetting of the error floor. We reviewed several existing constructions from exhaustive search to highly structured designs based on Euclidean and projective finite geometries and combinatorial designs. We describe GB and TS LDPC codes and compared the BER performance with large girth to the BER performance of random codes. These studies confirm that in the high SNR regime these codes with high girth exhibit better BER performance. The regularity of the codes provides additional advantages that we did not explore in this article like the simplicity of their hardware implementation and fast encoding.     

Boundedness of commutators on homogeneous Herz spaces

The boundedness on homogeneous Herz spaces is established for a large class of linear commutators generated by BMO(R ⁿ ) functions and linear operators of rough kernels which include the Calderón-Zygmund operators and the Ricci-Stein oRfiUatory singular integrals with rough kernels. Project supponed in pan by the National h’atural Science Foundation of China (Grant No. 19131080) and the NEDF of China.     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.