光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

高压沿面放电烟气脱硫技术动态实验研究

本文针对高压沿面放电活化气体的烟气脱硫技术,在静态实验研究的基础上进行了实验室冷态动态的实验研究。设计了便于反应和测量的动态实验装置。实验解释了电子束法脱硫技术中导致氨气泄漏的部分原因,验证了高压沿面放电脱硫技术可以在较低的运行电压下,达到提高脱硫效率,减少氨气泄漏的作用。     

心理素质诊断模型的建立与应用

综合运用国内外多种测量量表对大学生的心理素质进行诊断与测试 ,并应用多元统计分析方法对其心理素质结构主因素进行定量分析 ,在此基础上建立了心理素质诊断模型 ,并运用该模型对实际问题进行了分析 .     

基于演化博弈的武器装备研制合同定价模型研究

针对合同的动态性，提出利用基于演化博弈建立定价模型。考虑到决策群体中个体的认识误差，对所建立的定价模型进行修正，建立带偏离的定价模型并分析了偏离对均衡解的影响。最后将以上模型应用实例进行比较分析。     

HL—1装置中心热区电子热传导初步分析

在电流及温度分布满足“不变性”原理的基础上,本文分析了等离子体中心热区的能量平衡,求出了电子热传导系数,根据实验数据拟合出HL-1装置电子热传导系数的定标关系为X_e=6.8(n_(eq1))~(-1.2)。此关系与其他托卡马克装置的结果类似。     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON Hg1-xCdxTe THIN FILM IMPLANTED WITH As ION

Photoluminescence spectra of a series of MBE-grown Hg_1-xCd_xTe samples with the same mole fraction of about x≈0.39 have been measured at different temperatures from 5 to 100 K. By aid of the temperature and exciting laser power dependence of photoluminescence peak energy and relative intensity, as well as of the comparison with other measurements, four main structures dominating in the photoluminescence spectra are attributed to band to band, D^oX, A^oX and D^oA^o transitions. A deep donor state level located at about 8.5meV below the bottom of the conduction band has been observed and is determined to be due to the arsenic-occupied mercury vacancies. Two acceptor levels located at about 14.5 meV and about 31.5 meV above the top of the valance band have also been found from the measuements, which are identified as the mercury vacancies and As in anion site, respectively.     

Microstructure Evolution in Laser RS Co-base Metastable Alloy

ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＥｖｏｌｕｔｉｏｎｉｎＬａｓｅｒＲＳＣｏ－ｂａｓｅＭｅｔａｓｔａｂｌｅＡｌｌｏｙＷＡＮＧＡｎａｎ；ＣＨＥＮＧＳｈｕｎｑｉ；ＧＵＯＺｈｉｙａｏ（ＫｕｎｍｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，...     

有限维路代数的K_1群

本文通过计算有限维路代数k△的单位群和单位群的阿贝尔化,完全刻划了 任意域上有限维路代数的K1群.     

脉冲时滞抛物型偏微分方程组解的振动性

研究一类脉冲时滞抛物型偏微分方程组解的振动性,利用一阶脉冲时滞微分不等式获得了该类方程组在两类不同边值条件下所有解振动的若干充分条件.所得结果充分反映了脉冲和时滞在振动中的影响作用.