并行组合扩频系统中混沌序列优选的研究

在结合并行组合扩频通信基础上，研究系统中的Logistic—Map混沌扩频序列优选准则。仿真结果表明，Logistic—Map混沌扩频序列可以提供数量众多的适于并行组合扩频通信系统的扩频序列族。     

基于Internet的远程教育系统模型研究

随着计算机网络技术的发展，远程教学系统的结构发生了重大的变化，逐步由原来的客户机／服务器(C／S)结构转变为基于Internet的浏览器／服务器(B／S)结构。本文提出了基于CORBA技术的B／S结构系统模型。分析了其运行过程，并与传统的结构进行了比较，指明了其优越性。在本文的结尾。指出了使用这种技术的一个具体例子。     

基于mobile agent的分布式网络自管理模型

为了解决大规模、异构网络环境下基于“管理员密集”的传统网络管理模式带来的低效率和高出错率问题，提出了一种网络自管理模型，从网络管理的自动初始化和动态自管理两个方面实现对网络自动、自主、自适应的管理；提出了管理定位服务这一关键技术，在多个管理站协同工作的分布式网络环境中为设备自动定位出合适的管理站及初始的管理任务；采用可伸缩的分布式体系结构，适应了大规模网络的规模可变性等特点；基于mobile agent的管理框架进一步提高了管理的自适应性和灵活性。     

串行16位DAC转换芯片在流量手操器中的应用

本文介绍串行16位D／A转换芯片MAX541及其与AT89C52单片机的接口电路、相应的转换子程序，并给出其在过程流量手操器中的应用。     

MIMO技术在超宽带通信中的应用

多带UWB通信技术是目前超宽带通信技术中较为热的研究领域,本文引入了一种基于干扰抑制OFDM系统的UWB系统[4],在此基础至上和MIMO技术结合起来,引入一种实际可行的自适应调制算法,算法通过建立各子信道的能量增量表,来实现信息比特和功率的最优分配[1].通过仿真试验可以发现,这种MIMO系统的结合可以改善系统的BER.     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

并行算法在软件无线电多DSP平台的应用

近年来，随着软件无线电的发展，用于软件无线电平台中的多DSP并行结构受到越来越多的关注，因为这种结构能提高数字信号处理的速度。提出了一种适合在该平台上并行运算的算法，以多阶FIR滤波器为例，验证了算法，并探讨算法的性能，给出了该算法在多处理器条件下，与单处理器处理结果的比较。对选取合适的软件无线电中频处理多处理器平台具有一定的参考价值，并对舰载软件无线电的实现提供了科学参考。     

High Power Fiber Bundle Array Coupled LDA Module

1 Introduction High power laser diode arrays (LDA) have many advan- tages such as small volume, long working life, high slope efficiency and high optical density, so they have many applications in medical treatment, material pro- cessing, and for the pumping source of solid laser and etc. But unfortunately, the LDA can not be easy to use directly in these fields because of their poor beam quality and extremely asymmetric divergent beams (!x≈ 5°～10°and !y≈20°～35°, for example), so it …     

OFDM系统中同步算法的FPGA 实现

给出了一种用于 OFDM 系统中可同时完成帧起始位置估计和载波频偏估计／补偿的同步算法及其 FPGA 实现方法。采用量化的方法对该不需要额外同步序列的估计算法进行了改进,提高了载波频偏的估计精度,并在数字域进行了频偏校正。在硬件实现上,利用 CORDIC 算法能够有效计算三角函数的特点,把频偏估计和频偏校正过程中的反正切运算和角度旋转操作转化成加法和移位操作,实现了计算精度、运算速度和硬件资源利用三方面性能的兼顾。     

Fabrication of Schottky barrier MOSFETs using self-assembly CoSi2 nanopatterning and spacer gate technologies

A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi₂ nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n⁺-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO₂ and 300 nm Si₃N₄. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi₂ layer and a subsequent out-diffusion process to form the n⁺-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated.