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71.
针对传统的非锐化掩模算法的局限性,依据图像中各像素点及以其为中心的若干相邻像素点的均方差值,提出了自适应图像增强算法的原理,并分析其硬件实现方法,然后给出了该算法与其它算法应用于图像增强的对比结果,最后在FPGA(field programmable gate array)实验板上进行验证.实验结果表明,此算法有效的增强图像的细节区域,防止图像边缘区域出现过冲现象,抑制图像平坦区域的噪声放大.因此,该算法取得了良好的视觉效果,硬件实现简单,适合于实时条件下图像的增强.  相似文献   
72.
弱导光纤的标量衍射光束特性分析   总被引:4,自引:1,他引:3  
仿照罗兰圆光学系统构造罗兰球光学系统 ,在罗兰球中简化电磁波的瑞利 索末菲标量衍射积分公式 ,推导出折射率阶跃分布的弱导光纤LP模衍射场分布和空间频谱的计算公式。提出LP0 1模远场衍射分布存在类似于平面波圆孔夫琅禾费衍射艾里斑的中央亮斑概念 ,并给出中央亮斑角半宽度的计算公式。  相似文献   
73.
徐慧  郭力伟  刘云海  虞露  石磊 《电视技术》2006,(3):11-13,16
介绍了视频转码的几种基本技术,分析了MPEG-2与AVS的不同,提出了一种从AVS到MPEG-2的转码系统.针对关键的转码算法设计了一种综合优化方案,实验显示图像质量和压缩率都有明显提高。  相似文献   
74.
郭彦中  边平定 《现代电子技术》2006,29(9):130-133,136
根据采油厂油井监控的需求,将油井数据采集、网络视频监控技术和无线通信技术紧密结合起来,设计规划适用于油井的远程智能监控系统。重点介绍了远程智能监控技术的系统原理、组成结构、实现方式及其实际应用效果。  相似文献   
75.
本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.  相似文献   
76.
高压沿面放电烟气脱硫技术动态实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文针对高压沿面放电活化气体的烟气脱硫技术,在静态实验研究的基础上进行了实验室冷态动态的实验研究。设计了便于反应和测量的动态实验装置。实验解释了电子束法脱硫技术中导致氨气泄漏的部分原因,验证了高压沿面放电脱硫技术可以在较低的运行电压下,达到提高脱硫效率,减少氨气泄漏的作用。  相似文献   
77.
针对合同的动态性,提出利用基于演化博弈建立定价模型。考虑到决策群体中个体的认识误差,对所建立的定价模型进行修正,建立带偏离的定价模型并分析了偏离对均衡解的影响。最后将以上模型应用实例进行比较分析。  相似文献   
78.
在电流及温度分布满足“不变性”原理的基础上,本文分析了等离子体中心热区的能量平衡,求出了电子热传导系数,根据实验数据拟合出HL-1装置电子热传导系数的定标关系为X_e=6.8(n_(eq1))~(-1.2)。此关系与其他托卡马克装置的结果类似。  相似文献   
79.
1μm宽硅深槽刻蚀技术   总被引:1,自引:1,他引:0  
王清平  郭林 《微电子学》1996,26(1):35-39
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。  相似文献   
80.
Photoluminescence spectra of a series of MBE-grown Hg1-xCdxTe samples with the same mole fraction of about x≈0.39 have been measured at different temperatures from 5 to 100 K. By aid of the temperature and exciting laser power dependence of photoluminescence peak energy and relative intensity, as well as of the comparison with other measurements, four main structures dominating in the photoluminescence spectra are attributed to band to band, DoX, AoX and DoAo transitions. A deep donor state level located at about 8.5meV below the bottom of the conduction band has been observed and is determined to be due to the arsenic-occupied mercury vacancies. Two acceptor levels located at about 14.5 meV and about 31.5 meV above the top of the valance band have also been found from the measuements, which are identified as the mercury vacancies and As in anion site, respectively.  相似文献   
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