用NILT导出的传输线瞬态分析模型

K Singhal与J Vlach的NILT(数值Laplace反变换) 技术是端接线性负载传输线分析的一种有效方法.本文利用这一NILT技术,导出了传输线的时域离散模型,由此可进行端接任意负载传输线的瞬态分析.这一模型毋须象通常的频域方法那样对传输线作有理逼近,因而不存在由此带来的数值问题,而计算量与它们相当.文中分别给出了均匀与非均匀传输线的处理,并用实例作了验证.     

H.248协议在UMTS核心网中的应用

描述了H.248协议的连接模型和消息结构,分析了H.248协议在UMTS核心网中的实现方案,并给出了一个应用实例,最后探讨了实现中可能面对的问题和解决方案。     

环境影响及计算机设备可靠性

和所有设备一样，计算机设备也是在一定环境中工作的，各种环境因素无时不对设备产生影响。要使计算机设备在各种环境中保持良好的性能，必须了解各种环境对计算机设备影响的机理和过程，分析在环境因素中那些因素是影响计算机设备的主要因素及其力度、频率、周期等，以便采取措施保护计算机设备正常工作。简要介绍除温度外，各种环境因素对计算机设备的影响。     

一种900-MHz 20-mW CMOS功率放大器的设计

提出了一个工作电压为3V，工作频率900MHZ，输出功率为20mW的高效率CMOS功率放大器。为了达到设计目标，文章采用了一些特殊的方法，包括三级放大结构，级间的调谐匹配和层叠差分结构。     

基于IP核复用技术的SoC设计

概述了国内外IP产业的发展情况,论述了我国发展IP核复用技术SoC设计的可能性和必要性,指出我国急需发展的关键芯片及IP核种类.     

填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.     

CsI(Tl)晶体中反冲Cs和I核Quenching?Factor的测量

许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.     

填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

CeOs₄Sb₁₂晶体中由于导电电子与Ce³⁺ 4f¹电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs₄Sb₁₂物理性质，如近藤绝缘体行为、Ce³⁺磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs₄Sb₁₂进行测量时，可以得到不同温度下CeOs₄Sb₁₂的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs₄Sb₁₂中存在近藤相互作用，其作用强度为3.1 meV，证实了CeOs₄Sb₁₂为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs₄Sb₁₂德拜温度为317 K. 关键词： 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体     

ON GROUP VELOCITY OF ELASTIC WAVES, IN AN ANISOTROPIC PLATE

A proof is offered for the equivalence of the group velocity and the energy velocity for elastic waves in a free anisotropic homogenous plate. The proof is valid in the case where the group velocity may be negative while the wave number is positive.     

左Clifford半群的特征与结构

作为Clifford半群的推广,本文定义了左Clifford半群,给出了它的许多特征,建立了它的半格分解结构和ξ直积结构。还讨论了两类特殊情形。