基于[(Tp)Fe(CN)3]-氰根桥联异金属三核配合物的合成、晶体结构及磁性

采用[(Tp)Fe(CN)3]-(Tp=hydrotris(pyrazolyl)borate)与[NiL](ClO4)2(L=3,10-bis(2-bydroxyethyl)-1,3,5,8,10,12-hexaazacyclotetra-decane)反应,合成了氰根桥联的异金属三核配合物[NiL][(Tp)Fe(CN)3]2·4H2O(1),并对其结构和磁性进行了研究.该化合物晶体属于正交晶系,Pbca空间群.配合物1中,Ni(Ⅱ)大环与2 [(Tp)re(CN)3]-通过氰根桥联,形成近似直线的三核结构.Ni原子的配位采取六配位稍畸变的八面体构型.其中大环配体上的4个N原子占据赤道平面而桥联氰根的2个N原子占据轴向位置.磁性测定表明在2-300 K的温度范围内,Ni(Ⅱ)和Fe(Ⅲ)之间通过桥联的氰根产生弱的铁磁相互作用.用哈密顿函数H=-2J(SFel·SNi SFe2·SNi)对其XMT-T曲线进行了拟合,得到1的朗德因子g=2.35和交换常数J=8.13 cm-1.最后,对配合物的结构与磁性的关系进行了讨论.     

音乐厅中的声扩散设计初探

声扩散设计对厅堂音质的影响缺乏定量描述.以海南大学音乐厅的声学设计为例,运用快速多极子边界元法(FMBEM)对声扩散的影响进行定量分析,在侧墙使用一维伪随机序列结合视觉艺术效果优化其散射性能,在后墙直接采用二维伪随机序列生成立体的扩散结构,解决了音乐厅平面选型带来的声学缺陷问题.数值模拟及现场测量显示,在采用扇形与矩形结合平面的小音乐厅中,声扩散设计比平面更有优势,使该音乐厅的中前场及中间位置获得足够的侧向反射声能,使厅堂各区域的音质参量取值落在推荐的范围之内.     

基于DOE策略的多层薄膜残余应力对太赫兹微桥形变的影响

桥面多层膜系残余应力匹配是消除太赫兹微测辐射热计微桥结构形变的重要手段.仿真建立了像元尺寸为35μm×35μm微桥单元有限元模型.基于实验设计(DOE)正交法,采用IntelliSuite软件进行应力仿真,获得支撑层、钝化层、电极层、热敏层、吸收层应力分别为+200 Mpa、+200 Mpa、+200 Mpa、0 Mpa、-400 Mpa的最佳应力组合,最小微桥单元形变(0.0385μm).通过各膜层残余应力控制,制备出基于该优化微桥单元结构的320×240太赫兹焦平面阵列,获得与仿真结果相符的极小形变微桥.     

X射线条纹相机CsI光阴极的高能电子份额

为了得到X射线条纹相机中CsI光阴极的高能电子份额数据,通过蒙特卡罗方法建立模型来研究CsI光阴极在X射线照射下的光电发射特性.研究了CsI光阴极厚度为100～1 000 nm、入射X射线能量为1～30 keV时的二次电子(SE)能量分布.模拟结果显示,入射X射线的能量越高、CsI光阴极的厚度越大,从CsI光阴极出射的二次电子中高能电子(大于50 eV)的份额越高,在入射X射线能量为30 keV、CsI光阴极厚度为1 000 nm时,出射电子中的高能电子份额可以达到10.8％.但是当CsI光阴极厚度保持为100 nm、而入射X射线能量大于15 keV时,高能电子份额维持在3.4％左右而不再随入射X射线的能量增加而增加.     

一种新型片上全差分电感的设计

提出了一种新型的片上全差分电感结构。电感采用全对称的几何形状,消除了传统差分电感因跳线引起的失配,提高了差分电感的性能。基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,对设计的全差分电感进行流片与测量,结果表明,差分电感两端口之间的失配量比传统差分电感下降了28%。     

基于电力线载波通信的智能用电管理系统设计

为了构建一个智能化小型电能网络,实现对用电设备的精确计量和远程控制,设计一套基于电力线载波通信的智能用电管理系统。系统整合了电能计量、电力线载波通信和继电器等模块,包含PLC插座,以S3C6410为智能网关核心,内嵌Web服务器,通过PC或移动终端可完成各种电器的远程监测和管理。测试结果表明,系统达到了设计要求,且结构简单,通信稳定,具有广泛的应用价值。     

Microstructure and optoelectronic properties of gallium- titanium-zinc oxide thin films deposited by magnetron sputtering

Gallium-titanium-zinc oxide(GTZO) transparent conducting oxide(TCO) thin films were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering. The dependences of the microstructure and optoelectronic properties of GTZO thin films on Ar gas pressure were observed. The X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM) results show that all the deposited films are polycrystalline with a hexagonal structure and have a preferred orientation along the c-axis perpendicular to the substrate. With the increment of Ar gas pressure, the microstructure and optoelectronic properties of GTZO thin films will be changed. When Ar gas pressure is 0.4 Pa, the deposited films possess the best crystal quality and optoelectronic properties.     

新型聚中性红膜修饰碳糊电极的制备、表征及应用

运用一种新型的化学引发-电聚合方式将中性红膜固定到碳糊电极表面,制备出聚中性红薄膜修饰碳糊电极(PNR/CPE)。利用循环伏安法(CV)和交流阻抗谱(EIS)对修饰电极的电化学性能进行研究,借助于扫描电子显微镜(SEM)对修饰电极表面进行表征,并采用红外吸收光谱法(IR)和紫外可见吸收光谱法(UV-Vis)对PNR薄膜结构进行测试。结果表明,中性红成功地固定在碳糊电极表面,修饰电极的表面呈现特定的立体化结构,表面的电活性位点增多,电催化性能增大。在优化条件下,将该电极应用于鲱鱼精DNA(hs DNA)的检测,PNR电极上出现了1对较强的氧化还原峰,峰电流与其浓度在1.0×10~(-6)~8.0×10~(-5)mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0×10~(-7)mol/L。     

GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究

通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下多量子阱中栽流子分布不均匀也是影响器件峰值波长的一个因素,并计算得到去除极化影响后量子阱中的场强,验证了在电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀的结论.     

催化裂化催化剂上污染重金属含量测定的XRF光谱分析方法的研究

介绍了用 X射线荧光光谱测定催化裂化平衡催化剂上污染重金属 Fe、Ni、V、Cu、Sb和 Ca含量的分析方法。考查了影响 Fe、Ni等元素测定的各种因素 ,提出以新鲜催化剂为配制标样的载体 ,较好地克服了元素间互相干扰的影响 ,减少基体效应 ,取得了 Fe、Ni等元素含量的准确结果。实验结果表明 ,XRF光谱法测定催化剂上污染重金属元素的含量是一种快速、准确、简便的分析方法