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对欧洲的立法者来说,目前最为关注的课题之一便是如何解决数字鸿沟这一困扰欧洲大陆信息与通信技术整体发展水平的矛盾。向人们提供高速因特网接入服务是消除数字鸿沟的有效手段,而无线数字用户线技术以及其成低、通信质量好、覆盖范围大及灵活性等优势成为宽带接入技术中的佼佼者,并获得很多欧洲国家电信运营商的青睐。 相似文献
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基于同步辐射加速器的康普顿背散射γ射线源(Ⅰ)产生MeV量级γ光子的数值计算 总被引:1,自引:0,他引:1
提出在筹建的上海同步辐射装置上建造一条MeV量级γ射线束及应用站,采用μm波长的红外(或远红外)激光与储存环中3.5GeV电子束进行康普顿背散射,从而获得能区为1—25MeV的康普顿背散射γ光子束,该光子束具有高强度、高极化度(线和圆极化)、准单色、方向性好的优点,可以广泛地应用于核物理和核天体物理基础研究及相关的应用研究领域.介绍了康普顿背散射的基本原理,并结合储存环参数给出了光子束性能的数值计算结果. 相似文献
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GU Bai-Ping REN Zhong-Zhou 《理论物理通讯》2005,44(2):337-342
The Dirac optical potential for p-^14 Be elastic scattering is evaluated by the relativistic impulse approximation. Each of the real part and the imaginary part of the potential shows a pronounced “long tail” for the proton elastic scattering from halo nucleus ^14Be compared with the potentials for proton scattering from its adjacent nuclei ^12C and ^16O, which do not have halo structures.This kind of “long tail” phenomenon suggests another signature for halo nuclei. 相似文献
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采用溶解-反应量热法在具有恒温环境的溶解-反应热量计内,测定了[Gd(Gly)4(Im)(H2O)](ClO4)3和[Y(Gly)4(Im)(H2O)](ClO4)3两种稀土甘氨酸咪唑配合物的标准生成焓分别为(-3 461.46 ±0.22) kJ·mol-1 和(-3 926.6±0.90) kJ·mol-1. 相似文献
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基于双因子认证技术的网络身份识别 总被引:5,自引:0,他引:5
本文提出了一种基于动态双因子认证技术的网络身份识别方法,用户每次登录的口令是利用系统时间和用户ID通过MD5加密算法计算得到,其通过MD5加密后生成的登录口令是随机的,这将进一步提高开放网络环境下身份识别的可靠性和安全性。同时,本文还提出网络身份识别技术可以应用到各类网站的服务器上,用来完成对用户身份的识别,以提高网络系统的安全性。 相似文献
39.
TMS320C67系列EMIF与异步FIFO存储器的接口设计 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了TI公司TMS320C67系列DSP的EMIF(外部存储器接口)与异步FIFO(先进先出)存储器的硬件接口设计,着重描述了用EDMA(扩展的直接存储器访问)方式读取FIFO存储器数据的软件设计流程,最后说明了在选择FIFO存储器时应注意的问题.由于EMIF的强大功能,不仅具有很高的数据吞吐率,而且可以与不同类型的同步、异步器件进行无缝连接,使硬件接口电路简单,调试方便.运用EDMA的方式进行数据传输,由EDMA控制器完成DSP存储空间内的数据搬移,这样可以最大限度地节省CPU的资源,提高整个系统的运算速度. 相似文献
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Xin Sun Qiang Lu Moroz V. Takeuchi H. Gebara G. Wetzel J. Shuji Ikeda Changhwan Shin Tsu-Jae King Liu 《Electron Device Letters, IEEE》2008,29(5):491-493
A tri-gate bulk MOSFET design utilizing a low-aspect-ratio channel is proposed to provide an evolutionary pathway for CMOS scaling to the end of the roadmap. 3-D device simulations indicate that this design offers the advantages of a multi-gate FET (reduced variability in performance and improved scalability) together with the advantages of a conventional planar MOSFET (low substrate cost and capability for dynamic threshold-voltage control). 相似文献