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41.
A new method for controlling the quantum coherence of atom laser by applying input light with strong strength is presented within the framework of quantum dynamical theory. Unlike the case of rotating wave approximation(RWA), we show that the non-classical properties, such as sub-Poisson distribution and quadrature squeezed effect, can appear in the output atom laser beam with time. By choosing suitable initial RF phase, a steady and brighter output of squeezed coherent atom laser is also available.  相似文献   
42.
贾朝华 《中国科学A辑》1991,34(7):695-709
本文将证明:对充分大的奇数N,下面的方程有解...  相似文献   
43.
通过比较常规透射电镜制样法、快速冷冻固定-冷冻超薄切片法及磷钨酸乙醇(EPTA)染色法在嗜铬颗粒透射电镜X射线显微分析中的应用,发现磷钨酸乙醇染色法能使嗜铬颗粒电子着色,从而较好地显示嗜铬颗粒的超微结构。同时磷钨酸乙醇染色法也以在一定程度上原位保留生物样品中元素,可以应用于检测样品元素含量的变化或比较样品元素含量的组间差别,提示磷钨酸乙醇染色法是一种可应用于透射电镜X射线显微分析的经济简便的生物样品制备方法。  相似文献   
44.
本文提出一种关于DMT系统传输纯数据流业务的最佳的功率分配算法,该算法使用了一种有效的表格查手工艺工和拉格朗日乘法器对分搜索办法,能够较快的收敛到最佳的功率点。同时,易于用硬件和软件实现。  相似文献   
45.
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用,由于铁电层反偏偶极子的开关作用,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化,并由直观原型的方法得到了验证。  相似文献   
46.
1. INTRODUCTION In the process of coking plant, about 30%~35% sulfur is transformed to H2S and some other sulfide, which form impurity in coal gas together with NH3 and HCN. Only 0.1% H2S containing in air can lead to die, so it is very important to carry on desulphurization and decyanation with coal gas [1~3]. Currently desulphurization and decyanation craft technique have Dry Oxidation Technology, Wet Oxidation Technology and Liquid Absorption Technology [2] three main kinds. The…  相似文献   
47.
基于充放电原理实现的微电容测量电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
具有抗分布电容以及简单实用等特性的充放电电路是目前微电容测量中广泛采用的一种测量电路。本文对基于充放电原理的微电容测量电路进行了深入研究,并介绍一种基于充放电原理的实用电路。  相似文献   
48.
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).  相似文献   
49.
Theoretical and experimental investigations on the performance of micro-perforated -panel absorbers are reviewed in this paper. By reviewing recent research work, this paper reveals a relationship between the maximum absorption coefficient and the limit of the absorption frequency bandwidth. It has been demonstrated that the absorption frequency bandwidth can be extended up to 3 or 4 octaves as the diameters of the micro-holes decrease. This has become possible with the development of the technologies for manufacturing micro-perforated panels, such as laser drilling, powder metallurgy, welded meshing and electro-etching to form micrometer order holes. In this paper, absorption characteristics of such absorbers in random fields and in high sound intensity are discussed both theoretically and experimentally. A new absorbing structure based on micro-perforated-panel absorbers demonstrate experimentally high sound absorption capability. This review shows that the micro-perforated-panel absorber has potentials to be one of ideal absorbing materials in the 21st century.  相似文献   
50.
We investigate the KdV like equation with higher order nonlinearity ut + a(1 +bun)unux + uxxx = 0with n ≥ 1, a, b ∈ R and α≠ 0. The bifurcations and explicit expressions of solitary wave solutions for theequation are discussed by using the bifurcation method and qualitative theory of dynamical systems. Thebifurcation diagrams, existence and number of the solitary waves are given.  相似文献   
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