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111.
112.
将Abe引入的q q-1对称变形熵应用于玻色子的正则系综,根据最大熵原理和Lagrange乘子法,导出了系统的密度算子,进而在微变形的条件下求出了粒子数算符的期望值及其在高温、低温下的近似值。 相似文献
113.
114.
This paper is a contionuation of [1] and is concerned with multiplication of weak functions. Here the weak functions are treated as generalized expansions in Hermite functions in [2]. 相似文献
115.
碳化硅加热元件的电性能和使用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍碳化硅加热元件的电特性、表面负荷以及工作气氛对它的影响,并对它设计和使用要点举例予以说明。 相似文献
116.
本文研究了H_2O_2氧化光泽精发光反应及乙醇的敏化作用,发现加入乙醇可使铅催化H_2O_2,氧化光泽精的发光强度有较大幅度的增强;铅量在3×10 ̄(-7)~8×10 ̄(-5)g/mL。范围内与发光强度成正比.方法检出限为0.10μg/mL;对含4μg/mLPb(Ⅱ)11次重复测定,其RSD为2.3%.对32种常见的阴阳离子进行了干扰实验,表明方法具有较好的选择性。本法应用于水样及沉积物标样中痕量铅的测定,结果良好。 相似文献
117.
Another generalization of the Mitrinovic-Djokovic inequality is proved by elementarymeans. 相似文献
118.
The segregation of P at grain boundaries is believed to be an important cause of temper embrittlement in steels. As an alloy element, Mo may reduce the embrittlement. However, the concentration measured by Auger electron spectroscopy at the grain boundary in 2.25Cr1MoV and 12Cr1MoV showed that the concentration of P increased with that of Mo, which indicates that Mo and P cosegregated to the grain boundary in Cr-Mo steels. 相似文献
119.
ZHAO Yan-fang ZHAI Xin CHEN Jiao-yue GUO Shu-chun GONG Ping 《高等学校化学研究》2006,22(4):468-473
IntroductionAdenosine 3′,5′-cyclic monophosphate (cAMP)and guanosine 3′,5′-cyclic monophosphate(cGMP) areubiquitous second messengers that mediate biologicalresponses to a variety of extracellular cues, includinghormones, neurotransmitters, chemokines… 相似文献
120.
Songqing Zhao Yuzi Liu Shufang Wang Zhen Liu Ze Zhang Huibin Lu Bolin Cheng 《Applied Surface Science》2006,253(2):726-729
B-doped ZnO thin films have been fabricated on fused quartz substrates using boron-ZnO mosaic target by pulsed-laser deposition technique, and the mechanical properties have been studied by nanoindentation continuous stiffness measurement technique and transmission electron microscope (TEM). Nanoindentation measurement revealed that the hardness of B-doped ZnO films, 9.32 ± 0.90 to 12.10 ± 1.00 GPa, is much greater than that of undoped ZnO films and very close to that of traditional semiconductor Si. The mean transmittance (%) is larger than 81% in the visible range (380-780 nm) for all the films, and the Hall effect measurement showed that the carrier density is around 2 × 1020 cm−3 and the resistivity lower than 3 × 10−3 Ω cm. TEM characteristics show undoped thin films have more amorphous area between grains while the B-doped ZnO films have thin grain boundaries. We suggest that the grain boundaries act as the strain compensation sites and the decrease in thickness of grain boundaries enhances the hardness of the B-doped ZnO films. 相似文献