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111.
基于单粒子导心运动代码ORBIT,采用测试粒子模拟方法,研究了托卡马克等离子体内部不同径向位置处局域磁场扰动对高能量离子的损失的影响。研究表明,在局域磁扰动主要分布在某磁面附近、其环向具有类似纹波场形式下,可造成一些靠近等离子体中心区域的高能量离子损失,但对靠近等离子边界的离子损失影响相对不大。这些损失的高能量离子均为捕获离子,离子的投掷角越大就越容易损失。此外,造成高能量离子最大损失率的局域场径向位置与这些损失离子的初始径向位置通常存在一定的偏移,而且这个偏移与这些离子的能量密切相关。当局域场出现在某些位置时,能量较低的离子会有一定的损失,能量较高的离子反而不会损失。 相似文献
112.
113.
114.
采用亚结构拼接法,将苯氧乙酸类结构引入酰基硫脲中,设计并合成了8个新型的硫脲类化合物——N-(取代苯氧乙酰胺基)-N'-(1-甲基环己基酰基)硫脲(5a~5h);5a~5h在酸性条件下关环形成8个新型的含1,3,4-噻二唑的酰胺类化合物——1-甲基-N-(5-取代基-1,3,4-噻二唑-2-基)环氧甲酰胺(6a~6h),其结构经1H NMR和ESI-MS表征。初步的生物活性测试结果表明,在用药量为500mg·L-1时,N-(2,4-二氯苯氧乙酰胺基)-N'-(1-甲基环己基酰基)硫脲对粘虫的抑制率为80%。 相似文献
115.
高硅煤中Si-Al-Fe-Ca四元体系碳热反应研究 《燃料化学学报》2017,45(11):1296-1302
研究了不同温度条件下高硅煤中矿物组成比例下的Si-Al-Fe-Ca多元体系的碳热反应以及其影响因素。通过XRD和FESEM-EDS技术对各还原产物进行分析。结果表明,Fe_2O_3对含硅矿物的碳热反应起促进作用,Fe可以有效提高Si反应活性。CaO在较低温度时与灰中的Al_2O_3和SiO_2反应形成致密的Ca-Al-Si相共熔体CaAl_2Si_2O_8,阻碍含硅矿物碳热反应的进行。随着温度的升高,继续反应生成SiC、CaAl_4O_7和CaSiO_3。热力学模拟计算与实验结果基本吻合。 相似文献
116.
117.
Uncooled InAsSb photoconductors were fabricated. The photoconductors were based on InAs0.05Sb0.95 and InAs0.09Sb0.91 thick epilayers grown on InAs substrates by melt epitaxy (ME). Ge immersion lenses were set on the photoconductors. The cutoff wavelength of InAs0.09Sb0.91 detectors is obviously extended to 11.5 mm, and that of InAs0.05Sb0.95 detectors is 8.3 mm. At room temperature, the peak detectivity of Dλp at wavelength of 6.8 mm and modulation frequency of 1 200 Hz is 1.08×109 cm.Hz1/2.W-1 for InAs0.09Sb0.91 photoconductors, the detectivity D at wavelength of 9 mm is 7.56×108 cm.Hz1/2.W-1, and that at 11 mm is 3.92×108 cm.Hz1/2.W-1. The detectivity of InAs0.09Sb0.91 detectors at the wavelengths longer than 9 mm is about one order of magnitude higher than that of InAs0.05Sb0.95 detectors, which rises from the increase of arsenic (As) composition in InAs0.09Sb0.91 materials. 相似文献
118.
在集成电路高速发展的时代,内引线为铜的集成电路因为低廉的价格和性能方面的优势,将越来越多地被制造和改进,破坏性物理分析(DPA)中也将会遇到大量的塑封铜引线集成电路,这类器件开封容易引起铜引线、键合点的腐蚀等问题。对这类器件研究后的开封方法是:激光开封后一定比例的混酸腐蚀能使铜线和键合点完好保留,芯片表面无塑封料残留。本文提供了一种对塑封铜引线集成电路进行开封的可靠方法。 相似文献
119.
120.
采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2 O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体.通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化;利用傅里叶红外光谱(FT-IR)对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析.结果表明:ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主;在通以还原气氛(95%Ar,5%H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜,VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大. 相似文献