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91.
介绍智能型UPS的网络监控系统在机房建设、管理过程中的应用,对其工作原理、结构组成、功能进一步阐述,实现了UPS智能化、自动化、高效率、低成本的维护管理. 相似文献
92.
通过对爆炸抛撒图象的处理,得到液体界面的曲线.采用盒维数的计算方式,计算界面曲线的分形维数.通过对各时刻液体界面分形维数的变化研究,分析爆炸抛撒近场阶段的变化过程,同时观察到蘑菇状尖顶的出现与破碎,以及空化区域的形成和消失现象。 相似文献
93.
环境试验与可靠性试验的关系 总被引:1,自引:1,他引:0
从环境试验和可靠性试验的相关标准入手,详细论述了两者之间的相互关系与区别:互为补充,互为依存,共同发展,共同为保障产品的环境适应性和使用可靠性发挥作用。最后阐述了加强自然环境试验的重要性,它是检验实验结果的基本标准。 相似文献
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介绍了一种不同于灌封材料,具有触变性,粘接性能优良,使用方便的固定电子分立元器件用胶粘剂E-4X。与国外同类产品Ep-433x胶粘剂对比,其综合性能优于Ep-433胶粘剂。 相似文献
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Tan Fu Lei Tang Po Chen Horng-Chih Lin Chun-Yen Chang 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(12):2104-2110
A new material, Si-B, is proposed as a solid diffusion source for fabrication of poly-Si contacted p+-n shallow junctions. The junction depth of the Si-B source diode has been measured and compared with that of a BF2+-implanted poly-Si source diode. It was found that the Si-B source diode had a much shallower junction and was less sensitive to thermal budget than the BF2+ source diode. This was attributed to the smaller surface concentration and diffusivity of boron in the silicon in Si-B source diodes. Regarding electrical characteristics of diodes with a junction depth over 500 Å, a forward ideality factor of better than 1.01 over 8 decades and a reverse-current density lower than 0.5 nA/cm2 at -5 V were obtained. As the junction depth shrank to 300 Å, the ideality factor and reverse current density of diodes increased slightly to 1.05 and 1.16 nA/cm2, respectively. These results demonstrated that a uniform ultrashallow p+-n junction can be obtained by using a thin Si-B layer as a diffusion source 相似文献
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98.
99.
以Nd:MgO:LiNbO_3同时兼作激活介质和非线性光学材料,研究自倍频激光器。用小型氙灯泵浦,在室温下获得二次谐波激光(0.547μm) 阈值小于4.8'J,最大输出400μJ/shot,工作温度范围大于20℃~45℃,无光损伤。 相似文献
100.
利用CARS方法研究超短脉冲激光的脉冲宽度 总被引:1,自引:1,他引:0
在理论上提出了利用两光束CARS/CSRS方法测量超短脉冲激光的三阶相关函数。实验上在几种样品中测量了CARS/CSRS的时间特性,得到了泵浦光脉冲,SCDL输出光脉冲以及受激喇曼散射光脉冲的宽度。 相似文献