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101.
在Rb2 CO3-Li2 CO3-Gd2 O3-H3 BO3体系中,用自发结晶的方法获得了一种钆硼酸盐Rb2 LiGdB2 O6(RLGBO)单晶,同时,用固相合成法获得了RLGBO粉末多晶.单晶结构解析表明,RLGBO属于正交晶系,Pbcm空间群,晶胞参数a=7.0259(3)?,b=9.6103(4)?,c=10.0562(4)?和z=4.热学性质表明,RLGBO在840℃下保持良好的热稳定性.在RLGBO中分别掺杂2;的Ce3+,80;的Eu3+和50;的Tb3+之后,其结构不会发生改变.在紫外光及近紫外光激发下,RLGBO:Ce3+,RLGBO:Eu3+和RLGBO:Tb3+可分别发射蓝光,红光和绿光.结果表明,RLGBO化合物可作为发光物质的基质材料. 相似文献
102.
数字信号处理课程教学改革的探索与体会 总被引:3,自引:0,他引:3
针对"数字信号处理"课程实用性强、理论内容丰富但概念抽象难懂等特点,结合我校课程教学实际情况,从教学和实验两个环节进行了改革.在教学环节上精选教学内容、优化教学方法、丰富教学手段、突出概念的物理意义及应用、指导学生有针对性的做题;在实验过程改革考核机制,增加综合设计性实验,注重培养学生理论联系实际、独立分析解决问题的能力.实践表明教学改革取得了较好的效果. 相似文献
103.
采用Z扫描方法系统的研究了KDP晶体在不同激光波长条件下的非线性光学性质.当λ=355 nm,功率密度为57.92 GW/cm2和λ=532 nm,功率密度为105.94 GW/cm2时,KDP晶体均呈现强烈的反饱和吸收和自聚焦效应,其非线性吸收系数和非线性折射率分别为6.50×10 -2cm/GW,1.17×10 -2cm/GW和8.02×10 -7cm2/GW,6. 14×10 -7cm2/GW;而在1064 nm波长,功率密度为347.95 GW/cm2时KDP晶体并未表现出明显的非线性性质.结果表明,在短波长的激光作用下,KDP晶体更容易产生非线性效应,双光子吸收是KDP晶体非线性吸收的主要机制. 相似文献
104.
以煤矸石为原料,经Na2CO3碱熔活化和水热合成获得了沸石分子筛;利用Cd2+对沸石分子筛进行离子交换并通过沉淀过程制得了CdS/沸石分子筛复合粉体.采用X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所得样品进行表征,并以模拟太阳光为光源,罗丹明B (RhB)为目标降解物,对其光催化活性进行了研究.结果显示:沸石分子筛上负载的CdS的晶相为立方相,制得的CdS/沸石分子筛复合粉体具有较好的光催化活性,且三次循环利用后仍具有较好的催化活性,在模拟太阳光辐照下,CdS/zeolite(0.5 M)复合粉体重复利用3次后,处理260 min对RhB的降解率仍可达91.3;.所得粉体对RhB的光催化过程符合一级动力学方程式,光催化过程中,RhB 紫外可见光谱的蓝移现象揭示所得CdS/沸石分子筛可通过脱乙基-共轭显色基团断裂途径降解RhB. 相似文献
105.
考虑服务外包风险评估的不确定性,采用概率语言术语集获取FMEA方法所需的专家评价信息,通过给语言集赋予不同的概率以表达偏好的程度。针对传统FMEA方法没有考虑风险间的相互影响关系,风险严重度评估不够准确的问题,采用广义Choquet积分分析风险间的相互影响关系,得到修正后的风险严重度。考虑严重度、发生度和难检度直接相乘准确性低的问题,采用概率语言VIKOR方法对风险的三个因子进行综合评估。最后以公共体育场馆服务外包风险评估为例,验证了所提方法的有效性。 相似文献
106.
107.
108.
可控硅是可控硅整流器的简称。它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。触发电流IGT是可控硅的重要参数之一。可控硅根据触发电流IGT大小可分为很多档位,但实际根据触发电流IGT大小进行分档时,经常出现跳档现象。文章着重探讨单向可控硅YCR008触发电流IGT低档位(0.5~6)μA产品中有高档位(20~60)μA的产品跳档原因分析以及解决此问题的方案。 相似文献
109.
以量化的分子结构参数和实验结果为依据, 运用模式识别技术、多元线性回归和人工神经网络研究了目标分子与DNA相互作用的主要影响因素, 建立了准确性较高的2个键合常数预测模型和1个作用模式预测模型. 初次量化的分子结构参数有21种, 经过筛选发现其中的10种参数对相互作用有显著影响. 研究结果可为抗癌药物的分子设计和筛选提供有价值的信息. 相似文献
110.
NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能. 相似文献