求幂级数收敛半径的方法

指出了文 [1 ]中一个考研题的错误解法 ,并给出求幂级数收敛半径的几种方法     

油价波动对国民经济影响模型构建与应用

为了科学构建原油价格波动与国民经济发展的关系,在借鉴国内外专家学者相关模型基础上,考虑不同国民经济指标对油价波动的时滞反馈等因素,构建油价波动对国民经济影响模型.利用原油价格波动对国民经济发展的动态模型,对模型的各部分关系系数进行确定,最后根据所得到的模型对国民经济影响进行实际分析与预测,并得出规避油价波动影响风险的措施.     

Monitoring the Aggregation of Dansyl Chloride in Acetone through Fluorescence Measurements

The aggregation of dansyl chloride (DNS-Cl) in acetone has been studied in detail by steady-state fluorescence techniques.It has been demonstrated that DNS-Cl is stable in acetone during purification and aggregation study processes.The aggregates are not solvolyzed in acetone,and do not take part n any chemical reactions either.It has been found that DNS-Cl tends to aggregate even when its concentration is much lower than its solubility in acetone.The aggregation is reversible,and both the aggregation and the deaggregation are very slow processes.Introduction of SDS has a positive effect upon the formation and stabilization of the aggregates.     

催化动力学光度法测定痕量钴(Ⅱ)

本法基于钴 (Ⅱ )对高碘酸钾氧化孔雀绿的催化作用 ,提出一种灵敏地测定痕量钴 (Ⅱ )的新方法。该方法线性范围在 0～ 0 8μg·2 5mL- 1 ,检测限为 2 1× 10 - 1 0 g·mL- 1 。测定出反应表现活化能Ea=37 94kJ·mol- 1 。此法用于茶叶、维生素B1 2 中钴的测定 ,结果满意     

应用LiNbO_3声表面波驱动的全光纤声光频移器

介绍一种工作在10.7MHz的全光纤声光频移器.它由在LiNbO_3基片上制作的叉指电极换能器产生的声表面波驱动.当驱动电功率1.5W时,频移光转换效率达35％.     

一个光纤综合业务环网的故障自动恢复

光纤综合业务区域网是近年来迅速发展的一个领域，环形网是这种网最常用的一种拓扑结构。由于环形网结点串联的特点，网络的可靠性是必须解决的问题。本文针对一个具有３４Ｍｂ／ｓ速率，可以传输计算机数据、话音、传真和会议电视的光纤综合业务环网（ＩＳＲ），研究了其故障的自动隔离。文中分析了ＩＳＲ的故障，讨论了故障的检测、定位和隔离的方法。为了适应综合业务的混合电路交换和分组交换技术，本文提出了采用二分搜索法来定     

解可分离约束双凹规划问题的一种外逼近方法[英文]

在本文中，我们提出了双凹规划问题和更一般的广义凹规划问题。我们给出了双凹规划问题的整体最优性条件，并构造了一个有限终止外逼近算法。     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

网上协作学习模式研究

主要针对网上协作学习的基本模式、实现方式和存在的问题进行了初步研究。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。