大米中硒的FI-HG-AAS测定方法研究

研究了原子化器温度、载气流速、KBH4 浓度等条件对流动注射 氢化物发生 原子吸收光谱法 (FI-HG -AAS)测定硒时的影响。建立了FI-HG -AAS测定大米中硒的分析方法。在优化的工作条件下 ,测定硒的最低检测浓度为 0 3 3 μg·L- 1,线性范围为 0～ 5 0 μg·L- 1,相对标准偏差小于 4% ,加标回收率为 94%～ 1 0 2 %。本法克服了传统的间断氢化物发生 原子吸收光谱法分析速度慢、样品耗量大、操作繁琐且因手工进样在进样速度和进样体积上容易带来误差等缺点。方法操作简便、快速 ,灵敏度及自动化程度高 ,已广泛应用于大米及富硒大米中微量硒的测定     

耦合双原子Jaynes-Cummings模型的腔场谱H

研究了处于激发态的两原子与高Q腔场相互作用单光子过程的腔场谱,给出了初始光场为光子数态、相干态、压缩真空态时的腔场谱数值计算结果,分析了原子间偶极-偶极相互作用强度gα对腔场谱结构的影响.发现真空场Rabi峰,当gα较弱时为4峰,gα较强时为3峰结构;弱场数态(n＞0)时为5峰,强场时为3峰结构.相干态和压缩真空态时,谱结构与光子数分布有关,一般为复杂的多峰结构.结果表明,gα对峰位峰高都有影响,破坏了谱结构的对称性,但这种影响只在真空场和弱场时才较明显.     

VHF-PECVD制备微晶硅材料的均匀性及其结构特性的分析

采用VHF-PECVD技术在多功能系统(cluster tool)中制备了系列硅薄膜，研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明：气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响；材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均匀，在将材料应用于器件上时，必须要考虑优化合适的工艺条件；硅烷浓度大，相应制备薄膜的晶化程度减弱，即薄膜中非晶成分增多。     

Characteristics of Schottky Barrier Junction Based on Hexagonal Microtube ZnO

Hexagonal microtube ZnO was firstly grown on single crystal p-Si (111) substrates by hydrothermal method, and fabricated Ag/n-ZnO and Au/n-ZnO Schottky junction. Schottky effective barrier heights were calculated by I-V measurement. It is confirmed that the presence of a large amount of surface states related possibly to lattice imperfections existed near the surface leads to the pinning of the surface Fermi level at 0.35 eV below the conduction-band edge. Then the fabricated Schottky barrier junctions are evaluated for their use as UV photodetectors.     

Synthesis and Crystal Structure of a Ternary Complex: [Ni(phen)2(pmal)]·8H2O

A new ternary complex [Ni(phen)(pmal)]·8H2O (phen = 1,10-phenanthroline,pmal2- = phenethyl malonic acid) has been synthesized by the reaction of nickel acetate, phen and phenethyl malonic acid. Elemental analysis, IR spectra and X-ray single-crystal diffraction were carried out to determine the composition and crystal structure. Crystal data for this complex: triclinic system, space group P1, a = 10.387(5), b = 13.112(6), c = 14.229(6) (A), α = 76.176(7), β =83.778(8), y = 71.770(6)°, C35H42N4O12Ni, Mr= 769.44, Z = 2, F(000) = 808, V = 1786.1 (A)3, Dc =1.431 g/cm3, μ = 0.612 mm-1, the final R = 0.0653 and wR = 0.1033 for 9379 (Rint = 0.0244)independent reflections and 4730 observed reflections (I ＞ 2σ(I)). Structural analysis shows that the coordination geometry of Ni(Ⅱ) is a distorted octahedron. A novel two-dimensional structure is constructed from (H2O)4 and (H2O)12 water clusters, and the complex forms a 3-D network supramolecular structure by hydrogen bonds and π-π stacking of neighboring phens.     

Eu,Dy共掺杂SrAl2O4长余辉材料制备新工艺

活化Al-Sr合金粉末水解制备SrAl₂O₄长余辉材料的前驱体,并采用高温固相反应法制备出Eu,Dy共掺杂的SrAl₂O₄长余辉材料,对其微观结构和发光特性进行了研究。实验结果表明:前驱体中Al、Sr元素在微观状态下分布均匀,所制成的长余辉发光材料的发射主峰位于520nm附近,为典型的Eu²⁺离子4f5d-4f的特征发射,初始亮度达到18cd/m²,余辉时间长达46h。     

A-调和方程弱解的逆Hlder不等式及其应用

本文给出A 调和方程弱解的逆H lder不等式及其若干应用 .     

Carleson测度与Bloch的刻画

在文中，对于C^n中有界强拟凸域。我们得到Carleson测度，消没Carleson测度的刻画。利用Carleson测度，我们还得到Bloch，小Bloch的刻画。     

基于SOC的PAGER控制芯片设计

文章讨论了PAGER控制器芯片（ZQD021）的系统设计，该控制器内部集成了FLASH，SRAM，POCSAG协议解码器和嵌入式MCU CORE。重点分析了芯片的可测性设计（DFT），内嵌FLASH设计，低功耗设计，其设计方法和思路对消费类和嵌入式控制芯片的设计有一定的借鉴意义。