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11.
低阻VDMOSFET的优化设计与制造 总被引:1,自引:1,他引:0
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。 相似文献
12.
文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善,同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库,构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程,形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台,用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片,获得了一次投片成功。 相似文献
13.
新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器 总被引:5,自引:2,他引:3
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。 相似文献
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16.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
17.
18.
共焦显微术和多光子显微术因其可以对厚的生物样品实现光学断层成像,因而在生物医学等领域具有广泛的应用前景,本文详细综述了共焦显微术和多光子显微术在成像原理及特性等方面的差别,在此基础上,讨论了每种显微术各自的优点、局限性及应用前景。 相似文献
19.
20.
在设计数字信号处理器时我们经常要设计高性能的乘累加运算器,文章详细分析了乘累加运算器的结构,提出了其高性能设计方案并采用标准单元进行了实现,同时提出了DCT运算单元的高性能解决方案。 相似文献