Injection-locked Fabry-Pe/spl acute/rot laser with electronic feedback for clock recovery from high-speed OTDM signals

We demonstrate the use of an injection-locked Fabry-Pe/spl acute/rot laser diode with electronic feedback for base-rate clock recovery in N/spl times/10 Gb/s optical time-division-multiplexing (OTDM) systems. Injection-locking enhances the resonance frequency of the laser and the electrical feedback achieves strong resonance at the base-rate frequency of the injected data streams, enabling ultrastable electrical clock signal generation at the base rate of 10 GHz. Experimental demonstrations for clock recovery at 10 GHz from 40-Gb/s OTDM data streams and 4-1 demultiplexing of the data using the extracted clock after fiber transmission is presented. The timing jitter measured in the recovered electrical clock is less than 0.25 ps.     

工作流技术及其应用研究

文章介绍了工作流技术及其发展历史,对工作流的系统模型进行了详细分析,探讨了工作流技术在企业管理信息系统中的实际应用。     

面向空间应用的片上系统集成技术研究

文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善，同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库，构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程，形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台，用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片，获得了一次投片成功。     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

混合动力电动汽车用电机及驱动控制器的电磁兼容设计

电机及驱动控制器作为电动汽车的关键部件,其电磁兼容设计对于保证电动汽车的可靠运行非常重要.介绍了国家十五项目中某混合动力轿车用电机及控制器系统的电磁兼容措施,分别从控制电路、信号电缆、功率电路及屏蔽机箱等工程角度进行了分析和设计.该系统的电磁兼容性符合GB/T17619-1998的要求,且已应用于实际混合动力电动汽车,运行情况良好.     

具有控制项的限定记忆卡尔曼滤波器

在已有的限定记忆卡尔曼滤波器的基础上 ,将确定性先验信息作为控制项加以应用 ,推导出了完整的限定记忆卡尔曼滤波公式 ,从而在记忆长度确定的情况下 ,有效地减小了模型不准的误差 ,降低了滤波总误差。仿真同样表明了该方法的有效性     

微桥法镍膜的弹性模量和残余应力测量

利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

一种有效减少ADI-FDTD数值色散的方法

ADI—FDTD算法的数值色散效应较为明显，本文的研究表明一种通过添加各向异性媒质来修正相速误差，从而减少FDTD数值色散的方法，同样适用于ADI-FDTD，且收效更为显著。数值运算结果证明该方法能够简单有效地去除较宽频带范围内的色散。