自组装有机分子薄膜的可逆超高密度信息存储

信息技术的迅速发展对信息存储密度提出了越来越高的要求，采用自组装方法研究了有机分子4’-氰基-2，6-二甲基-4-羟基偶氮苯（4’cyano-2，6-dimethyl-4-hydroxy azobenzene）的成膜特性．通过在扫描隧道显微镜的针尖和基底之间加脉冲电压在薄膜上进行信息点的写入，得到了直径为1．8nm的信息点，并分析了信息点形成的机理．     

催化动力学光度法测定痕量钴(Ⅱ)

本法基于钴 (Ⅱ )对高碘酸钾氧化孔雀绿的催化作用 ,提出一种灵敏地测定痕量钴 (Ⅱ )的新方法。该方法线性范围在 0～ 0 8μg·2 5mL- 1 ,检测限为 2 1× 10 - 1 0 g·mL- 1 。测定出反应表现活化能Ea=37 94kJ·mol- 1 。此法用于茶叶、维生素B1 2 中钴的测定 ,结果满意     

应用LiNbO_3声表面波驱动的全光纤声光频移器

介绍一种工作在10.7MHz的全光纤声光频移器.它由在LiNbO_3基片上制作的叉指电极换能器产生的声表面波驱动.当驱动电功率1.5W时,频移光转换效率达35％.     

分组网与ISDN互连的性能分析

本文研究分组交换数据网与ＩＳＤＮ互连的性能分析，文中考虑了分组肉与窄带ＩＳＤＮ和宽带ＩＳＤＮ互连时信关所应完成的功能，分别给出了两种情况下的信关排队模型；在信关存储容量分别为有限和无限的情况下，对两种模型进行了求解，给出了阻塞概率和平均延迟的表达式。对于与Ｂ－ＩＳＤＮ互连的情况，提出了用开关确定性过程来描述输出排队的分组到达流，并提出了一种小时隙方法分析ＳＤＰ／Ｄ／１排队。     

解可分离约束双凹规划问题的一种外逼近方法[英文]

在本文中，我们提出了双凹规划问题和更一般的广义凹规划问题。我们给出了双凹规划问题的整体最优性条件，并构造了一个有限终止外逼近算法。     

一种红外成像系统作用距离试验评估方法

进行红外成像系统作用距离考核试验时，由于外场试验中的目标特性及气象条件与指标提出对应的目标特性及气象条件有差别，因此需要进行必要的折算。提出一种基于信噪比准则的可行的红外成像系统作用距离试验评估方法。     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

网上协作学习模式研究

主要针对网上协作学习的基本模式、实现方式和存在的问题进行了初步研究。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

基于S-CDMA的HFC上行信道接入协议性能仿真分析

讨论了基于S－CDMA的HFC网上行信道的高效接入协议－SAMA，提出了双信道接入机制的工作原理，并对系统性能进行了分析与计算机仿真，得到一些有意义的结论。