3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

不同形貌氮化硅纳米结构的制备与表征

分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带.产物经X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等表征手段进行了分析.FTIR图谱表明它们在800～1100cm-1的波数范围内有一个宽的吸收带,这是Si-N键伸缩振动模式的典型吸收带.它们的室温光致发光图谱显示,在420nm左右都有一很强的发射带,表明其将在纳米光电器件中有潜在应用.另外,Si3N4纳米线发光峰与纳米带的发光相比有少许蓝移(蓝移约4nm),这可能和晶须尺寸的少许差别有关.至于纳米带的发光强度大于纳米线的原因,可能是纳米带的比表面积相对较大,有利于悬键的形成,从而导致材料结构内缺陷的浓度较大.     

Cloning, Expression and Purification of Wheat Acetyl-CoA Carboxylases CT Domain in E.coil

The entire gene of carboxyltransferase(CT) domain of acetyl-CoA carboxylase(ACCase) from Chinese Spring wheat(CSW) plastid was cloned firstly,and the 2.3 kb gene was inserted into PET28a+ vector and expressed in E.coil in a soluble state.The (His)6 fusion protein was identified by SDS-PAGE and Western blot.The recombinant protein was purified by affinity chromatography,and the calculated molecular mass(Mr) was 88000.The results of the sequence analysis indicate that the cloned gene(GeneBank accession No.EU124675) was a supplement and revision of the reported ACCase CT partial cDNA from Chinese Spring wheat plastid.The recombinant protein will be significant for us to investigate the recognizing mechanism between ACCase and herbicides,and further to screen new herbicides.     

基于压力槽可调谐长周期光纤光栅模块的设计

提出一种基于机械微弯变形法的能够同时生成不同谐振波长的多个长周期光纤光栅的制作方案.仿真分析了该方案中各参数(如光栅有效长度、倾斜角度以及外界应力)变化对长周期光纤光栅损耗峰深度和谐振波长的影响.结果显示,长周期光纤光栅的损耗峰深度主要受光栅有效长度和压力影响,而倾斜角度大幅度改变谐振波长位置.     

退锡废水中锡的分离实验研究

文章以碱中和退锡废水所得锡泥为原料,研究了碱浸法分离锡泥中的锡,在煮沸转化液固比为2,氢氧化钠与锡摩尔比为7～8,微沸(100℃～110℃)时间为2h,水洗液固比为5时,锡的分离率可以达到98%以上。     

医用外照射微波辐射器的改进和临床应用

针对医用外照射微波辐射器临床应用存在的问题,将同轴－波导转换中针形激励线改为略带锥形的阿基米德螺线,从而使驻波系数等参数得到改善,并减小了体积、重量与微波泄漏,经临床使用,疗效满意。     

EPON+LAN与EPON+EoC接入方式的选择

介绍了EPON系统与EoC的组成及原理,以此引申出EPON+LAN、EPON+EoC的技术模型,通过EPON+LAN与EPON+EoC的技术对比,根据其优缺点,结合双向网络建设的实际情况,分析双向网络改造中对EPON+LAN与EPON+EoC接入方式的选择。     

CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应

研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。     

快速匹配算法在药筒模块检测中的应用

为了能够快速、准确判断药筒模块是否合格,实现检测的自动化,针对药筒模块中可燃性紧塞盖图像的特点和检测要求,在研究经典相关系数匹配算法基础上,采用了一种快速图像匹配算法,即通过减少相关系数计算量和模板搜索范围,在保证匹配准确度的前提下来提高图像匹配速度。实验和现场测试表明,使用该方法,匹配速度提高了近67%,实现了图像的快速匹配,软件误判率1%,满足实际生产要求。