HIERARCHICAL BASIS METHOD FOR COVOLUME METHOD FOR NONSYMMETRIC AND INDEFINITE ELLIPTIC PROBLEM

In this paper, hierarchical basis method for second order nonsymmetric and indefinite elliptic problem on a polygonal domain (possibly nonconvex) discreted by a vertex-centered covolume method is constructed.     

LB膜的制膜条件优化及其对光学性能的影响

通过紫外-可见吸收光谱、二次谐波振荡和稳态荧光的测量,研究了半花菁(DAEP)Langmuir-Blodgett(LB)膜在不同制膜条件(压膜速度、半花菁和花生酸混合、亚相中加入碘离子)下,LB膜样品中半花菁分子的聚集体性质的改变和对非线性光学性能的影响.实验发现,纯半花菁LB膜中分子形成H-聚集体,从而导致吸收峰、荧光峰的蓝移和分子二阶非线性极化率β的减少.分子聚集程度的减少和分子二阶非线性系数β的增加可以通过增大压膜速度、半花菁和花生酸混合、亚相中加入碘离子等方法实现.     

EXTREME POINTS IN DIAGONAL-DISJOINT IDEALS OF NEST ALGEBRAS

IIntroduction andPreliminariesLet H be a complex separable infinit。dimensional Hilbert sp。e,B(H)the set of llbounded operators on R and K(H the ideal of all comp。t operators on fi。A nest NN isa oh。n ofclosed subsPaces ofHllbert sPaceH cont。lug{0}。dX wb止b沾 closed underIntersection and closed span．FOr N E N,defineN＝川NE/:N＞*N＝叫N〔厂:N＜州If N /N,the subsp。e N e N－is called an atom of/．If dimN e N－＜lfor any N e/;厂 is called a maximal nest;and If N＝N－fo…     

A QP-FREE AND SUPERLINEARLY CONVERGENT ALGORITHM FOR INEQUALITY CONSTRAINED OPTIMIZATIONS

1 IntroductionConsider tl1e optimizatioll problemndn{f(x): gj(x) 5 0, j e I, x E R"}, j1)where f(x), gj(x): R" - R, j E I = {l,2,...,m}.We know tl1e quasi-Newton meth.d[1]'[9]1[5]1[1O1 is one of the most effective methods to solveproblenl (1) due to its property of superlinear convergence and is still all hot topic at presenttime, which attracts a Iot of authors to make iInprovemellt both in theory a1ld app1ication.Fechinei and Lucidi[3] in 1995 proposed a locally superlinearly convergell…     

二维密集导体目标散射的数值模式匹配法

用数值模式匹配法(Numerical Mode Match,NMM)求解空间随机分布的二维任意形状导体柱目标的复合散射。每个目标的散射场在各自局部坐标系中用柱面波函数展开,外部空间的散射场由所有目标散射场的叠加共同贡献。在每个导体目标表面选取若干离散点数值匹配边界条件,得到关于展开系数的超定矩阵方程,用奇异值分解(Singular Value Decomposition,SVD)或最小二乘法获得其最佳逼近解。这样,空间的散射场可由级数展开解析计算。数值分析了展开级数的截断问题,与矩量法(Method of Moment,MoM)数值计算的结果比较和误差分析获得不同形状和不同尺寸目标的展开项数,并用多项式拟合了简单的函数式。最后,针对不同形状组合的多导体柱复合散射模型分析其双站散射计算,与MoM方法的结果比较表明:数值模式匹配法能快速准确地分析任意尺寸任意位置任意形状复合目标的散射计算。     

基于性能的FPGA再设计过程中的工艺映射

提出了一个基于性能的ＬＵＴ结构的ＦＰＧＡ再设计过程中的工艺映射算法。采用该算法不改变网络的拓扑结构，而是用特征函数以及对原布尔网络进行相应的约束实现电路的再设计，从而避免了在再设计过程中重新考虑电路的时延和布局布线结果。用于较大规模的电路有很好的实验结果。     

Si(CH_3)_4分子的多光子电离和解离研究

对Si(CH_3)_4分子在280.0nm波长的激光多光电子电离和解高产物离子的飞行时间质谱进行了测定,结果表明:Si(CH_3)_4分子解离和电离后的主要正离子产物为:Si(CH_3)_2~+、Si~+和CH_x~+(x=0,1,2,3)离子等。本文还讨论了不同激光功率下Si(CH_3)_4分子产生不同碎片产物离子的机理。     

一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型

本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5％。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。     

基于电荷转移过程的PAN-C60共聚物薄膜的时间分辨荧光研究

利用吸收光谱和皮秒时间分辨荧光研究PAN－C60星状共聚物的电荷转移过程。PAN－C60共聚物的吸收和荧光光谱结果显示共聚物中存在着电荷转移过程。时间分辨荧光结果表明PAN的荧光衰减遵循双指数衰减规律（一快过程160ps和一慢过程1500ps)，快衰减过程主要来源于聚合物中主链间相互作用产生的空间间接极化子对的影响，慢变过程主要来源于单重态激子的辐射跃迁弛豫。在共聚物中，C60分子的存在除导致PAN激发态寿命缩短外，还影响聚合物链间的相互作用，C60分子对PAN荧光猝 灭作用主要通过慢变过程影响的，而对PAN的空间极化子对的影响主要与其快衰减过程有关。     

FPGA／CPLD结构分析

对ＦＰＧＡ和ＣＰＬＤ进行了比较，并分别对ＦＰＧＡ／ＣＰＬＤ的基本逻辑单元，连线资源和整体结构进行了分析，最后，总结了ＦＰＧＡ／ＣＰＬＤ的发展方向，并提出了发展适合实现ＭＣＵ的专用ＦＰＧＡ结构和相应ＣＡＤ工具的想法。