全文获取类型
收费全文 | 23634篇 |
免费 | 2132篇 |
国内免费 | 3561篇 |
专业分类
化学 | 11765篇 |
晶体学 | 90篇 |
力学 | 1211篇 |
综合类 | 295篇 |
数学 | 2338篇 |
物理学 | 6900篇 |
无线电 | 6728篇 |
出版年
2024年 | 30篇 |
2023年 | 282篇 |
2022年 | 283篇 |
2021年 | 394篇 |
2020年 | 423篇 |
2019年 | 376篇 |
2018年 | 292篇 |
2017年 | 287篇 |
2016年 | 496篇 |
2015年 | 491篇 |
2014年 | 710篇 |
2013年 | 888篇 |
2012年 | 1069篇 |
2011年 | 2567篇 |
2010年 | 1541篇 |
2009年 | 1391篇 |
2008年 | 975篇 |
2007年 | 840篇 |
2006年 | 834篇 |
2005年 | 1119篇 |
2004年 | 2289篇 |
2003年 | 1568篇 |
2002年 | 1387篇 |
2001年 | 1033篇 |
2000年 | 584篇 |
1999年 | 631篇 |
1998年 | 626篇 |
1997年 | 485篇 |
1996年 | 396篇 |
1995年 | 360篇 |
1994年 | 364篇 |
1993年 | 865篇 |
1992年 | 891篇 |
1991年 | 639篇 |
1990年 | 602篇 |
1989年 | 568篇 |
1988年 | 287篇 |
1987年 | 66篇 |
1986年 | 117篇 |
1985年 | 54篇 |
1984年 | 55篇 |
1983年 | 33篇 |
1982年 | 25篇 |
1981年 | 11篇 |
1980年 | 10篇 |
1978年 | 10篇 |
1977年 | 11篇 |
1976年 | 9篇 |
1974年 | 9篇 |
1973年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 312 毫秒
31.
32.
本文阐述了网络远程维护人员进行网络维护时比较有用的三种有效方法的原理及其设置 ,较好地解决了故障排除的时间和网络维护成本的矛盾。 相似文献
33.
分析了韩国、日本及国内运营商手机游戏业务的发展状况.探讨了手机游戏业务的模式.论述了该业务的战略定位和市场前景。从地区提供给移动通信市场对外部环境、产业链的准备是否充分以及运营商内部的资源和运营状况等三个方面阐明了手机游戏业务发展的关键因素。 相似文献
34.
光学材料的激光微加工研究进展与应用前景 总被引:2,自引:1,他引:1
综述了国内外在光学材料激光微加工方面的研究成果和应用状况,并展望了其发展前景。 相似文献
35.
双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
由速率方程推出了双掺(Tm^3 ,Tb^3 )离子准四能级系统的激光阈值解析式,讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明,对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光,激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时,交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入,一方面能抽空激光下能级,起到降低阈值的作用;另一方面亦减少了激光上能级的寿命,使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体,Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右,同时表明,激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。 相似文献
36.
37.
38.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
39.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
40.
荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算 总被引:1,自引:1,他引:0
阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量,求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时,因其零场发射电流密度难于准确取值,温度无法直接测量,显得困难,须予解决,为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法,对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算,有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出,精度不很高,文中所用办法也不例外,但所得结果能反映阴极发射能力,所需仪器少,是实用方法。 相似文献