全文获取类型
收费全文 | 39442篇 |
免费 | 6972篇 |
国内免费 | 5507篇 |
专业分类
化学 | 19999篇 |
晶体学 | 437篇 |
力学 | 1834篇 |
综合类 | 407篇 |
数学 | 3408篇 |
物理学 | 11307篇 |
无线电 | 14529篇 |
出版年
2024年 | 76篇 |
2023年 | 740篇 |
2022年 | 1072篇 |
2021年 | 1302篇 |
2020年 | 1482篇 |
2019年 | 1363篇 |
2018年 | 1248篇 |
2017年 | 1266篇 |
2016年 | 1673篇 |
2015年 | 1956篇 |
2014年 | 2359篇 |
2013年 | 2962篇 |
2012年 | 3421篇 |
2011年 | 3529篇 |
2010年 | 2848篇 |
2009年 | 2887篇 |
2008年 | 3018篇 |
2007年 | 2737篇 |
2006年 | 2627篇 |
2005年 | 2251篇 |
2004年 | 1739篇 |
2003年 | 1403篇 |
2002年 | 1338篇 |
2001年 | 1127篇 |
2000年 | 874篇 |
1999年 | 771篇 |
1998年 | 565篇 |
1997年 | 550篇 |
1996年 | 511篇 |
1995年 | 380篇 |
1994年 | 359篇 |
1993年 | 262篇 |
1992年 | 202篇 |
1991年 | 218篇 |
1990年 | 172篇 |
1989年 | 126篇 |
1988年 | 106篇 |
1987年 | 84篇 |
1986年 | 68篇 |
1985年 | 51篇 |
1984年 | 38篇 |
1983年 | 35篇 |
1982年 | 36篇 |
1981年 | 20篇 |
1980年 | 19篇 |
1979年 | 9篇 |
1976年 | 6篇 |
1975年 | 9篇 |
1959年 | 5篇 |
1957年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 92 毫秒
61.
不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。 相似文献
62.
63.
为了提供高性能和柔性,操作系统内核应该只保留最小的功能,今天的操作系统大而低效,更缺乏柔性,我们提出了保护分散式操作系统抽象方法,集成了分散式操作系统抽象和保护抽象的方法,这种新的安全方式在分散式抽象系统里共享用户级的抽象,能够使非特权,不信任的任务在运行时定义并安全的共享生成的抽象,它在对相同的抽象重复调用时,通过消除上下文切换的需求和对通常情况进行优化,可获得较好的柔性,保护分散式抽象的设计强调简单并正确性证明,易于理解和使用,文章介绍了保护分散式操作系统抽象方法,并运用该方法开发了一个基于共享库的原型操作系统-ExLinux/LibOS. 相似文献
64.
目标RCS动态数据的分布特征研究 总被引:1,自引:0,他引:1
复杂目标在不同视向的RCS分布特征是不同的,传统模型对此都没有给出详细的结果。文中以某歼击机和直升机为对象,应用X^2。分布、对数正态分布和瑞利分布模型,以及Kolmogomv拟合优度检验方法,研究其RCS动态测量数据的统计分布特征,得到了在一定显著性水平下,两种目标在不同视向角下对三种模型的拟合效果,同时得到应用X^2。分布拟合时模型半自由度随视向角的分布情况。在显著性水平为0.05时,对于在较短时间内录得的复杂目标动态RCS数据,应用X^2分布可以取得较好的拟合效果。文中结果精确地描述了目标RCS的起伏特征,能够为目标回波的精确模拟与检测提供可靠的依据。 相似文献
65.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
66.
67.
有势场逆问题的边界元法 总被引:5,自引:0,他引:5
本文给出了位势方程逆问题的一种最小二乘边界元解法。控制方程为Laplace方程,但一部分边界上未给出任何边值,而只在某些内点上给出了势函值。这一问题在数学上属不适定问题,但在一定条件下存在唯一解。本文同时给出了一种估计解的可靠性的方法。数值试验表明,这类逆问题采用边界元法是非常有效的。 相似文献
68.
69.
采用交流法测量大功率商用钛酸钡(BT)陶瓷加热器的电阻和加热功率随温度的变化关系.结果显示,BT陶瓷的电导特性在80℃附近出现了明显的转变,从低温时的极化子跳跃导电转变为高温时的能带导电,此时,电阻出现极小值,而加热功率出现极大值. 相似文献
70.