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81.
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V.  相似文献   
82.
视频流无缝拼接中的帧转换   总被引:1,自引:0,他引:1  
帧转换在MPEG-2视频流无缝拼接中有着非常重要的作用。文中就压缩域视频流的无缝拼接中的帧转换技术进行了深入的分析。文中以12帧IBBP结构的GOP为例分析了拼接点处应采用的帧转换方案,在此基础上给出帧转换的具体实现,并通过一个帧转换实验对之进行了验证。  相似文献   
83.
This work presents a wireless token-passing protocol, named Ripple, for wireless mesh networks (WMNs). In contrast to existing random-access approaches, Ripple uses a decentralized controlled-access approach to protect nodes from unintentional packet collisions and maximize the spatial reuse. The performance of Ripple under an error-free wireless channel was investigated and the accuracy of the analysis was verified by simulation. Simulation results also indicated that Ripple achieved throughput, stability, and QoS enhancement than that of 802.11 DCF under a highly loaded situation.  相似文献   
84.
WDM网络光层保护新算法的探讨   总被引:1,自引:1,他引:0  
首先介绍了几种按照不同标准划分的WDM网络光层保护方法,然后提出了三种实现光层保护的新算法,对它们的内容和性能做了详细描述。按照提出的算法所求得的解,可以为WDM网络提供新的光层保护方式。  相似文献   
85.
86.
本文报道通过对YBa2Cu1-xCox(Cu1-yZny)2Oz(0≤x,y≤0.1)体系晶体结构、氧含量、正常态电阻-温度关系、Hall效应以及超导临界温度等的综合测量,发现随着Co和Zn含量的增加,体系经历了从正交结构的超导金属向四方结构的非超导半导体的转变,超导临界温度Tc和载流子浓度nh均迅速下降,Co 关键词:  相似文献   
87.
本文描述一种基于8031单片机和TC8830AF语音处理器的PC机智能语音卡,通过软硬件设计解决了PC-8031-TC8830AF结构中的通讯问题。该语音卡在进行语音的合成、编辑和播放时,仅占用极少的PC机CPU处理时间,能满足计算机系统进行实时语音合成的要求。  相似文献   
88.
应用于生物医学的光声光谱技术的改进和实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
改进的光声光谱归一化技术,避免了普通的分光法归一化光声光谱技术中分束镜以及锁相放大器动态范围的影响和限制,实现宽光谱范围内准确的光谱测量。氙灯光源功率起伏用修正项修正,误差在5%以内,实现各次实验数据的可比性。  相似文献   
89.
High-frequency (HF) AC and noise modeling of MOSFETs for radio frequency (RF) integrated circuit (IC) design is discussed. A subcircuit RF model incorporating the HF effects of parasitics is presented. This model is compared with the measured data for both y parameter and fT characteristics. Good model accuracy is achieved against measurements for a 0.25 μm RF CMOS technology. The HF noise predictivity of the model is also examined with measured data. Furthermore, a methodology to extract the channel thermal noise of MOSFETs from HF noise measurements is presented. By using the extracted channel thermal noise, any thermal noise models can be verified directly. Several noise models including the RF model discussed in this paper have been examined, and the results show that the RF model can predict the channel thermal noise better than the other models  相似文献   
90.
Using AuGeNiCr multilayered metals as the wafer bonding medium, long-wavelength GaInAsP/InP vertical cavity surface emitting lasers employing Al-oxide/Si as the upper and lower distributed Bragg reflectors were fabricated on Si substrate with the bonding interface formed outside the vertical cavity surface emitting laser cavity. Laser emission at 1.545 μm was measured under pulsed operations near room temperature. The low-temperature metallic bonding process demonstrates a great potential in device fabrication  相似文献   
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