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871.
从麦克斯韦方程出发,推导了长周期光栅耦合器在折射率、增益、损耗复合调制下完整的耦合理论模型。在此基础上,详细分析了该复合调制长周期光栅耦合器直通与交叉臂间的功率耦合和多波长滤波特性。结果表明,当增益/损耗调制与折射率调制作用相等时,复合调制长周期光栅耦合器具有单向非互易的功率耦合特性,而且随着多波长复用信号输入光纤和输入方向的不同,具有不同的上下话路滤波特性。在增益调制作用下,满足相位匹配条件的信号不仅可有效地耦合到交叉臂下话路输出,还能得到明显的放大;但当损耗调制时,直通与交叉臂中的信号功率均保持各自的初值,而且不再具备波长选择滤波能力。 相似文献
872.
在以SDRAM为主的存储系统中,SDRAM的换行访问产生了大量的功耗开销,减少换行次数可以降低存储系统功耗。本文提出了引入片上存储器来降低SDRAM换行次数的低功耗设计策略。该策略首先对指令执行流进行分析,并统计出在对堆栈和全局变量的访问时产生了频繁换行;然后将堆栈放入片上堆栈存储器;同时借助有芯片面积约束的贪婪算法确定了片上数据存储器的大小和所存放的全局变量。实验结果表明,引入较小的片上存储器就使得换行次数大大降低,功耗显著下降,减少换行访问的功耗平均下降了24%。 相似文献
873.
高效视频编码(HEVC)标准在提升编码性能的同时,对系统带宽提出了更高的要求。传统电互连方式存在带宽小和时延大的问题,而光互连的高带宽和低功耗为片上资源数据通信提出了新的解决方案。然而由于工艺水平的限制,集成光器件无法在现场可编程门阵列(FPGA)芯片内部实现。采用片外光器件模拟片上光互连系统可以达到原型验证的目的。文章基于BEE4开发平台在单片上采用电互连方式进行数据通信,在Xilinx V6系列芯片间通过接入4通道小型可插拔+(QSFP+)光模块搭建光通信链路,构建光通信网络,实现了光电混合互连网络原型系统。以分辨率176×144的标准测试序列akiyoqcif176×144.yuv为例进行测试,实验结果表明,以光链路替代片间电通信能够正确实现,且板间传输时间仅为电互连的一半,综合频率为51.327 MHz。 相似文献
874.
单偏振光纤激光器的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
单偏振光纤激光器已成功应用于光纤传感、光纤陀螺和相干通信等领域。在阐述了光纤激光器机理和偏振理论的基础上,综述了光纤激光器基于保偏光纤、偏振控制器以及光纤布拉格光栅(FBG)等技术实现单偏振输出的方法以及近年来的研究进展,并对其进行了对比分析,提出相应的改进方案。 相似文献
875.
神经网络强大的非线性拟合能力使其在参数预测方面的应用越来越广泛,在神经网络预测激光切割工艺参数过程中,使用小样本数据训练的神经网络模型存在预测误差大、鲁棒性较低等缺点.因此,提出了一种基于生成式对抗网络的小样本数据处理方法,设计了适用于此问题的基于生成式对抗网络的数据生成模型,对激光切割工艺参数的小样本数据进行扩充,运用显著性检验法对扩充的数据进行了可靠性验证.利用BP神经网络构建工艺参数预测模型,分别使用原数据和扩充后数据训练参数预测神经网络,通过实验对比,优化后的模型具有更好的准确性和泛化性. 相似文献
876.
877.
Because unexpected emergency owns the characteristics of explosive, uncertain evolution direction and group diffusion, more and more researchers concentrate on and try to control it. In addition, considering the force of network, the information of the unexpected emergency will be spread and enlarged rapidly on internet. It is a new viewpoint using the indicator system to estimate the heat degree of net-mediated public opinion on unexpected emergency, which can reveal the underlying reasons about the formation of the heat degree. Moreover, we use BP (Back Propagation) neural network method instead of traditional subjective weight assignment to calculate the weights of the indicators which can make evaluation results more accurate and objective. 相似文献
878.
The pentacene-based organic field effect transistor (OFET) with a thin transition metal oxide (WO3) layer between pentacene and metal (AI) source/drain electrodes was fabricated. Compared with conventional OFET with only metal AI source/drain electrodes, the introduction of the WO3 buffer layer leads to the device performance enhancement. The effective field-effect mobility and threshold voltage are improved to 1.90 em2/(V.s) and 13 V, respectively. The performance improvements are attributed to the decrease of the interface energy barrier and the contact resistance. The results indicate that it is an effective approach to improve the OFET performance by using a WO3 buffer layer. 相似文献
879.
880.