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103.
无源微波遥感用于地震预报的实验研究 总被引:4,自引:1,他引:3
对无源微波遥感用于地震预报在理论研究的基础上对不同岩性不同结构的岩石试件进行了加载实验,测量了岩石试件的微波辐射随载荷的变化.实验得出:岩石试件的微波辐射能量随岩石应力状态变化而显著变化;而且,不同的波段变化的幅度不同;同一波段不同极化方式的波随应力变化的变化量也不同;微波辐射能量的变化能够被卫星微波遥感探测器探测到.实验还发现,岩石试件临破裂前出现明显的微波辐射异常. 相似文献
104.
Cun Feng Fan David A. Waldman Shaw Ling Hsu 《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》1991,29(2):235-246
Raman mechanical spectroscopy was used to examine interfacial effects on the stress distribution in model polydiacetylene fiber/epoxy composites. Epoxy release agents were coated on fiber surfaces to modify the interfacial adhesion properties. The modified fiber surfaces were then characterized by scanning electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy as well as optical microscopy. No difference in the maximum stress value or stress distribution was observed for the two types of fibers, coated or uncoated, used in composites. This suggests that adhesion properties at the composite interface do not affect tensile stress transfer efficiency nor, therefore, the composite tensile modulus along the fiber axis direction in uniaxial composites. Experimental data were also compared with theoretical calculations assuming perfect bonding between fiber and matrix, and idealized frictional force transfer mechanism at the fiber–matrix interface. 相似文献
105.
Xiang Lu S. Sundar Kumar Iyer Jin Lee Brian Doyle Zhineng Fan Paul K. Chu Chenming Hu Nathan W. Cheung 《Journal of Electronic Materials》1998,27(9):1059-1066
We have demonstrated feasibility to form silicon-on-insulator (SOI) substrates using plasma immersion ion implantation (PIII)
for both separation by implantation of oxygen and ion-cut. This high throughput technique can substantially lower the high
cost of SOI substrates due to the simpler implanter design as well as ease of maintenance. For separation by plasma implantation
of oxygen wafers, secondary ion mass spectrometry analysis and cross-sectional transmission electron micrographs show continuous
buried oxide formation under a single-crystal silicon overlayer with sharp Si/SiO2 interfaces after oxygen plasma implantation and high-temperature (1300°C) annealing. Ion-cut SOI wafer fabrication technique
is implemented for the first time using PIII. The hydrogen plasma can be optimized so that only one ion species is dominant
in concentration and there are minimal effects by other residual ions on the ion-cut process. The physical mechanism of hydrogen
induced silicon surface layer cleavage has been investigated. An ideal gas law model of the microcavity internal pressure
combined with a two-dimensional finite element fracture mechanics model is used to approximate the fracture driving force
which is sufficient to overcome the silicon fracture resistance. 相似文献
106.
107.
不同激发密度下CdS晶体的光致发光和受激发射 总被引:1,自引:1,他引:0
本文主要研究在77-111K温度范围内、不同激发密度的N2激光器的337.1nm谱线激发下,激子-激子(Ex-Ex)、激子-载流子(Ex-e)的相互作用和发射一个LO声子(Ex-1LO)、两个LO声子(Ex-2LO)的自由激子的辐射复合行为.并在77K温度下观测到由Ex-Ex发射产生的受激发射. 相似文献
108.
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