60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响

 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入（辐照）薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降，而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H⁺离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。     

扫描探针制备技术的研究现状及发展

探讨了近几年来探针制备技术的发展和趋势,分别就探针检测性能的改进、探针结构、探针检测功能拓展及多通道信息采集组合探针等几方面,对相关制备技术的方法、特点以及相应检测条件、适用环境展开讨论,这些方面反映探针制备技术正朝着尖锐化、多样化、功能化和组合方向发展。     

广义向量均衡问题的解与解集的凸性

引进集值映射的锥真拟凹概念，讨论一类具有集值映射的广义向量衡问题解的存在性与解集的凸性。     

以循环移位控制为基础的相控阵天线快速测量方法研究

为了解决相控阵天线快速测试问题,本文研究了一种相控阵天线测量的新方法。该方法中相控阵天线和测试探头均不动,利用相控阵天线中各移相器的移相状态可循环移位控制的特点和相控阵天线一些已知可信的信息,从而使测量具有极高的效率。文中对一相控阵天线模型采用该测量方法的测量全过程进行模拟,验证了该方法的正确性和高效性。     

年龄相关的种群扩散系统的最优分布控制

本文讨论年龄相关的种群扩散系统的最优分布控制 ,证明了最优分布控制的存在性 ,得到了分布控制为最优的充分必要条件及确定最优控制的最优性组 .     

Coherent quantum transport in normal-metal/d-wave superconductor/normal-metal double tunnel junctions

Taking into account the effects of quantum interference and interface scattering, combining the electron current with hole current contribution to tunnel current,we study the coherent quantum transport in normal-metal/d-wave superconductor/normal-metal (NM/d-wave SC/NM) double tunnel junctions by using extended Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK) approach. It is shown that all quasiparticle transport coefficients and conductance spectrum exhibit oscillating behavior with the energy, in which periodic vanishing of Andreev reflection (AR) above superconducting gap is found.In tunnel limit for the interface scattering strength taken very large, there are a series of bound states of quasiparticles formed in SC.     

时域介电谱方法及其应用

提出了微分和二次微分时域介电谱方法。极化响应可描述为exp[-(t/τ)^α]类型若干个分得很开的峰,峰的线型决定α,它有1和1/2两个典型值.极化机构种类和峰的个数相等,峰高给出各机构对极化贡献的成份.响应时间τ由峰的位置定决,谱线的分离说明习惯设α=1而令τ有连续分布的看法缺乏根据,在石蜡中观察到温度升高时,指数增大,石蜡熔解过程中出现时域谱线分裂,从中可得到分子链运动的许多信息。     

陆生植物黑麦草(Lolium multiflorum)对富营养化水体修复的围隔实验研究——氨氮的净化效应及其动态过程

采用浮床黑麦草（Lolium multi florum）对畜禽养殖富营养水体氨氮的净化效应及动态过程进行了研究．结果表明：浮床黑麦草对富营养水体中的氨氮具有明显的净化效果．当覆盖率30％时，对氨氮的去除率最高可达到95．89％．对其去除水体氨氮的动态过程拟合表明符合三次方程曲线．该研究为冬季陆生植物修复富营养水体提供重要依据．     

自集成透镜InGaAsP／InPDHLED及其离子束铣技术

本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。     

SiH4激光等离子体内自由基反应动力学研究

本工作采用时间分辨的OES(Optics Emission Spectroscopy)技术,研究横向激励大气压(TEA)CO₂激光诱发的SiH₄等离子体内碎片反应动力学过程。实验结果表明,等离子体内某些碎片的发光特征谱线主峰位置明显不同。据此,讨论了各碎片的产生及反应过程。比较各碎片发光的持续时间及综合其它OES结果,我们认为SIH₄激光等离子体的最终反应通道为产生Si的通道。 关键词：