基于辐射的温度测量方程的构造研究

基于辐射的温度测量方程，以采用选择不同的波长，不同的温度和不同的谱色（滤色片子以技术实现）等方法进行构造，依据这些方法获得的测量数据彼此之间线性无关，从而可以将被测物体发射率函数的具体形式和温度予以确定。     

星周致密HII区的电离平衡和非热动平衡效应

本文在球对称几何、纯氢、等温、稳态质量损失及Sobolev近似下研究内嵌星周致密HII区中的电离平衡及非热动平衡(NLTE)效应。研究表明,致密HII区严重偏离热动平衡,碰撞电离及激发态光致电离对HII区大小、NLTE偏离因子分布及谱线观测流量比产生重大影响,用它们可解释YSOs源的红外谱线流量超和流量短缺现象,指出不能用光学薄谱线复合理论推断内嵌中央星的光谱型、质量损失率及前景消光。     

色噪声环境下强相关源的DOA估计

结合MMUSIC（Modified multiple Signal Classfication)算法和SWEDE（Subsapce Method Without Eigen DE composition)方法的优点提出了联合DOA估计方法，该法使得在色噪声环境下强相关信源DOA（Direction Of Arrival)估计成为可能。理论分析与仿真结果表明：联合DOA估计方法在明显降低运算复杂度的同时，无需空间噪声必须为白噪声的约束，更加贴近现实情况，而且有利于在线处理。     

布基管和布基洋葱的结构及生长机理的研究

利用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和扫描隧道显微镜(STM),对布基管和布基洋葱的形貌、结构、生长机理进行了研究。结果表明采用垂直下落武装置制备布基管具有较大的产率,TEM的观察得到了布基管各种部位的横截面TEM象,报道了几种特殊结构的布基管和布基洋葱,分析了造成布基管形貌变化的原因,提出了布基管和布基洋葱生长过程的模板作用,提出在无定形石墨和布基管之间存在过渡态结构的观点,STM的研究结构获得了椅式布基管表面的原子象。     

基于FM1182芯片的便携消噪麦克风系统研制

为了提高语音信号的质量,降低在语音拾取过程中背景噪声的干扰,设计了以FM1182为核心芯片的系统,该系统使用了双麦克风拾音技术。拾取到的两路信号,分别为混有背景噪声的语音信号和纯噪声信号,经过低噪的前置放大后,进入DSP芯片进行消噪运算,芯片采用AMBIN算法。通过实际电路的测试结果表明,湮没在噪声信号中的语音信号被成功提取。该系统具有集成度高,便携,成本低的特点,在保证有较高噪声处理效率的同时维持超低功耗,消噪效果十分明显,并具有较宽的噪声处理范围。     

聚羧酸类超塑化剂分子结构对石膏分散性能的影响

研究了甲基丙烯酸-甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯(MAA-MPEGMA)、甲基丙烯酸-烯丙基聚乙二醇醚(MAA-APEG)、丙烯酸-烯丙基聚乙二醇醚(AA-APEG)三类梳形聚羧酸类接枝共聚物以及丙烯酸均聚物(PAA)对石膏粉体分散性能和凝结时间的影响.聚合物侧链长度越短、分子量越小、电荷密度越高对石膏的分散性能越好,同时...     

论电子产品测试管理体系的建立与实施

主要论述电子产品质量检测监控体系的策划、制订、实施、验证以及体系改进全过程.通过对电子产品的质量特性分析,合理规划监控体系,并根据具体的产品发布时机,选择适当的、充分的测试项目及指标.系统、全面地策划了电子产品质量检测监控活动,包括测试计划的制定,测试活动的实施,测试问题及测试结果的分析,参考历史数据对测试结果及产品质...     

用光谱法研究扭曲向列相液晶器件的电光特性

讨论了常亮型扭曲90°和扭曲120°向列相液晶器件的偏光特点,分析了液晶分子在交流电场作用下重新取向后的扭曲特性,测试并对比了特定频率不同电压条件下液晶分子重新取向后的扭曲角度,采用光谱仪取代通常使用的分光光度计获得液晶器件的电光特性,对比度、阈值电压、饱和电压随入射光波长的变化关系。结果表明,采用光谱仪的方法是可行的...     

INS/Doppler组合导航中安装偏角的在线估计

INS和Doppler在载机上安装时存在安装偏角,会对组合导航精度产生影响.为此,提出了一种新的INS/Doppler组合导航算法,将标度因数和安装偏角作为状态变量进行估计.在分析Doppler输出误差模型的基础上,详细推导了组合导航算法模型,并进行了仿真.仿真结果表明,在载机正常飞行并适当机动的情况下,该组合导航算法能够准确对标度因数和安装偏角进行估计,标度因数的估计精度为0.4‰,安装偏角的估计精度为0.1′-0.3′,从而提高了导航精度.     

结构缺陷对电子设备屏蔽效果影响分析

在电子设备的屏蔽箱上开有各种用途的小孔或缝隙,外界的电磁干扰通过孔、缝进入到电子设备的内部,对内部电路造成干扰。从电磁干扰的传播途径出发,对在不同情况下结构缺陷对屏蔽效果的影响进行了分析,并提出了相应的改进措施,对电子设备的工程设计具有一定的指导意义。