基于自适应阈值分割改进Canny算子的管道边缘检测方法研究

针对工厂中管道破损位置无法通过机器视觉准确判断的问题,提出一种基于自适应阈值分割改进Canny算子的管道边缘检测方法。该方法从滤波方式、梯度方向以及阈值分割角度对采集图像进行处理,首先采用采样-自适应中值滤波+双边滤波代替传统Canny算子中的高斯滤波,减少图像边缘信息丢失并去除图像中的噪声,然后增加梯度幅值的计算来更好地检测不同方向的边缘信息,最后为避免人工选取阈值效果不佳的情况,采用最大类间方差 (OTSU)阈值分割算 法进行阈值的自适应选取。实验表明,该方法相比于传统Canny算子的图像信噪比提升28.22%,边缘点数提升39.97%,四连通道数提升11.52%,八连通道数提升5.92%,提取特征完整且连续性较好,实现了对管道图像中破损情况的有效检测。     

超低温烧结X7R特性环保型陶瓷材料的研制

研制的陶瓷材料可在超低温度(1 030 ℃±15 ℃)下烧结,获得瓷料的相对介电常数高于2 100,介质损耗不高于1.5%,温度特性满足X7R特性要求标准.与传统的X7R特性材料比较,本材料烧结温度更低,同时材料中不添加Pb、Hg、Cd、Cr等有害元素,符合绿色环保要求及欧盟RoHS指令要求.     

射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性

在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明,N掺杂的浓度高达1020cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用。     

ZnO薄膜的椭偏和DLTS特性

用射频磁控溅射在硅衬底上淀积氧化锌薄膜,并对样品分别作氮气、空气、氧气等不同条件下退火处理。为研究退火气氛对ZnO/Si薄膜中缺陷以及折射率的影响,由深能级瞬态谱(DLTS)以及椭偏测量方法进行了检测。椭偏测量结果表明相对原始生长的样品,在氮气和空气退火使ZnO薄膜折射率下降,但氧气中退火使折射率升高。我们对折射率的这种变化机理进行了解释。DLTS测量得到一个与Zni**相关的深能级中心E1存在,氧气气氛退火可以消除E1能级。在氮气退火情况下Zn*i*的存在对抑制VO引起的薄膜折射率下降有利。     

自呼吸式DMFC电堆构建与电池性能研究

本文报道了一种能驱动风扇工作的自呼吸式DMFC小型电堆,电堆主要南燃料储罐、膜电极(MEA)、集流体等组成.文中针对影响该电池性能的主要参数,如电堆的活化过程、甲醇浓度等因素进行了研究.同时,本文还对电堆的恒电流放电时的电流曲线特点以及阴极水的生成规律进行了初步考察和探讨.     

环氧模塑料中导热通道的构造与导热性能

以低密度聚乙烯(LDPE)为原料,添加不同含量的高导热氮化硅陶瓷颗粒和短切玻璃纤维,熔融挤出不同直径的Si3N4/LDPE杆料。采用热模压法制备了环氧模塑料(EMC)。研究了杆料直径、陶瓷填充量对EMC导热性能、介电性能的影响。结果表明:在相同填充量下,杆料直径越大,样品热导率越大;5mm含玻纤杆料φ(填充量)为40%,热导率高达2.1W/(m·K)。样品的εr随杆料填充量的增大而显著减小,φ5mm含玻纤杆料填充量为40%时降至最低,为3.25(1MHz)。     

模具钢表面激光毛化工艺的试验研究

以模具工业45^#钢摩擦学设计及性能要求为基础,分析了激光毛化模具钢表面形貌的形成机理及其关键的影响因素。采用灯泵浦Nd：YAG脉冲激光器在试样表面进行激光毛化工艺试验,获得了合理的激光毛化参数范围：激光峰值功率0．8～1．6kW,离焦量-1．4～-0．4mm、＋0．4～4-1．4mm,辅助气体压力〉0．2MPa,脉宽1．8ms。采用功率增益和氧气保护,可加工出预先设定的微火山口状毛化形貌。微凹坑形貌的成功获得对于提高拉伸模具的摩擦磨损性能,进一步掌握激光毛化参数与材料的作用规律,提供了有效的数据参考。     

地表层的本质对于地震勘测的几种影响

一.概论用物理学的原理来计算实际问题,常常要将实际的情况先简单化或理想化,然后纔能得到有用的结果。物理探矿就是一个例子。解释地震记录时,最普通而又最简单的方法,是先假设有关的地层都是均匀、连续而又带有完全弹性的固体。     

可重构阵列处理器光电混合互连原型系统实现

高效视频编码(HEVC)标准在提升编码性能的同时,对系统带宽提出了更高的要求。传统电互连方式存在带宽小和时延大的问题,而光互连的高带宽和低功耗为片上资源数据通信提出了新的解决方案。然而由于工艺水平的限制,集成光器件无法在现场可编程门阵列(FPGA)芯片内部实现。采用片外光器件模拟片上光互连系统可以达到原型验证的目的。文章基于BEE4开发平台在单片上采用电互连方式进行数据通信,在Xilinx V6系列芯片间通过接入4通道小型可插拔+(QSFP+)光模块搭建光通信链路,构建光通信网络,实现了光电混合互连网络原型系统。以分辨率176×144的标准测试序列akiyoqcif176×144.yuv为例进行测试,实验结果表明,以光链路替代片间电通信能够正确实现,且板间传输时间仅为电互连的一半,综合频率为51.327 MHz。     

SiGe HBT的线性度研究（英文）

应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对其线性度随偏置情况的变化以及引起变化的机制进行了分析和讨论。通过分析表明:在集电极偏置电流较小时,SiGe HBT的线性度主要受器件跨导和雪崩倍增效应的限制;在中等大小的集电极偏置电流下,SiGe HBT的非线性主要由集电结势垒电容所产生;在大的集电极偏置电流下,大电流效应是产生非线性的主要原因。