基于充放电原理实现的微电容测量电路

具有抗分布电容以及简单实用等特性的充放电电路是目前微电容测量中广泛采用的一种测量电路。本文对基于充放电原理的微电容测量电路进行了深入研究，并介绍一种基于充放电原理的实用电路。     

推广x重新标度模型的重标度参数经验公式

给出了推广x重新标度模型的重标度参数经验公式,其中建立了重标度参数与原子核的平均结合能之间的联系,由该公式可以得出A≥12的所有核的重标度参数值,利用这些参数值可以计算有关核过程并做出预言.     

Kthe-Bochner空间的凸性(英文)

本文利用Kothe函数空间的性质以及Kothe函数空间与Kothe-Bochner空间的关系,讨论了Kothe-Bochner空间E(X)的凸性,主要结果如下: (a)给出E(X)的端点的充分条件,得到了E(X)严格凸的判据,相应地推广了Lp(μ,X) 以及Lφ(X)的结果; (b)讨论了E(X)的弱局部一致凸和局部完全k-凸; (c)刻画了E(X)的强凸,给出了F(X)强凸的充要条件．     

浅谈合情推理的教学

论述了合情推理与逻辑推理的关系、在高等数学教学中渗透合情推理的意义 ,并结合教学实践就通过合情推理引入数学理论 ,探求问题结论 ,探索解题方法作了初步探讨     

Proton conductivity of phosphoric acid derivative of fullerene

The proton conductive property of methano [60] fullerene diphosphoric acid has been investigated under various humidity conditions at the temperature range between 15 and 45 °C. It shows proton conductivity as high as 10⁻² S cm⁻¹ at 25 °C under relative humidity of 95%. Thermal analyses including TG–DTA and thermal desorption mass spectroscopy (TDS) confirm that the compound is thermally stable up to 200 °C. Proton conduction of the compound depends very much on humidity or water content. The logarithmic conductivity at 25 °C is increased linearly with increasing relative humidity. The activation energy (E_a) estimated from the slope of log(σT) vs. 1/T is decreased from 1.08 to 0.52 eV, as the relative humidity is increased from 40% to 75%. The humidity dependence of conductivity is discussed in the light of the observed hydration isotherm.     

激光产生的铝、硅、氧、铜、硒等离子体X光谱

利用长晶格的OHM晶体谱仪,从激光等离子体中获得丰富的铜、硒类氖、类氟、类钠离子的二、三、四级软X射线衍射光谱和铝、氧、硅的类氢、类氦、类锂离子一到四级谱,波长在14～40(?)之间,在此基础上,本文较为细仔地分析了各光谱结构.     

β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.     

K(o)the-Bochner空间的凸性

本文利用K(o)the函数空间的性质以及K(o)the函数空间与K(o)the-Bochner空间的关系,讨论了K(o)the-Bochner空间E(X)的凸性,主要结果如下:(a)给出E(X)的端点的充分条件,得到了E(X)严格凸的判据,相应地推广了Lp(μ,X)以及LΦ(X)的结果;(b)讨论了E(X)的弱局部一致凸和局部完全k-凸;(c)刻画了E(X)的强凸,给出了E(X)强凸的充要条件.     

中国与世界IC产业发展态势

该文对中国与世界IC产业的发展进行了历史回顾，重点阐述了产业现状与发展方向，并对新世纪的前景进行了科学预测。     

掺钕聚甲基丙烯酸甲酯的光学特性

研究了制备的掺钕螯合物Nd(DBM)3Phen材料的吸收光谱、激发光谱、荧光光谱,应用Judd-Ofelt理论计算了该材料的强度参量．分析了钕离子激发态4F3／2的辐射寿命(631 μs)和4F3／2→4IJ′跃迁的受激发射截面和荧光分支比．