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构建了一个半径为0.05μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的半径方向呈高斯分布。考虑到功率VDMOS器件的SEB效应与寄生NPN具有直接关系,提出了一种畸变NPN模型,并通过合理假设,推导出功率VDMOS器件在单粒子辐射下安全漏源偏置电压的解析式。结果表明,使用解析式计算得到的SEB阈值与TCAD仿真结果吻合较好。该模型可被广泛用于功率VDMOS器件SEB效应的分析和评价,为抗辐射功率VDMOS器件的选型及评价提供了一种简单和廉价的方法。 相似文献
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本文给出了一种基于STM32的分拣装置设计,阐述了此系统的软硬件设计及其应用.此设计一方面实现了对特定属性的产品的选择功能,驱动电机将其分拣出来,并且可利用红外通信对电机进行无线控制,显示装置则可更直观地掌握分拣情况;另一方面,此设计具有分拣精准,操作方便等优点.使复杂的分拣工作更趋高效、简便地得以展开,分担了人工挑选的工作量,节约了人力成本. 相似文献
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亚硝酸钠刻蚀液对多晶硅表面陷阱坑形貌的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
酸刻蚀多晶硅表面技术是当前太阳能研究的热点之一。利用亚硝酸钠比硝酸钠氧化能力弱的特点,在普通酸刻蚀液中用亚硝酸钠取代硝酸配制多晶硅表面刻蚀液,然后在相同的工艺条件下刻蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示:含有NaNO2酸刻蚀液使多晶硅表面能布满蚯蚓状的腐蚀坑,腐蚀坑的深度比传统的酸刻蚀的陷阱坑深,而且密度分布比较均匀,样品平均反射率下降到23.5%,与传统配方酸刻蚀液刻蚀的多晶硅表面相比,平均反射率下降了8%左右。 相似文献
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FENG Yong-jian ZHANG Tao 《微纳电子技术》2003,40(7):415-418
The results and methods of calculation of resistance of hollow wire in gigahertz range by Bessel function are given. According to the results of computation, it is found that the resistor of conductor can be optimized using hollow wire with specific wall thickness. At high frequency the current distribution across a circular hollow wire is at surface of wire, which is called skin depth. We found that optimum wall thickness is proportional to skin depth and the phase abrupt change point of H field. Theoretical analysis and mechanism optimized round hollow wire will be presented in this paper. The calculation indicates that cylindrical hollow wire can be optimized to decrease resistance above 8%. 相似文献
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低截获概率(LPI)雷达的广泛应用导致电子侦察系统难以从噪声中检测到LPI信号的存在。针对这一问题,提出一种基于多相滤波器组和高阶累积量联合处理的121雷达信号检测算法。该算法首先利用多相滤波器组实现信号在频域上的快速均匀划分,然后对输出的每个子带信号进行三阶累积量对角切片短时估计,有效抑制高斯噪声,并设计检测器对每个子带信号进行信号存在性检测,进而判断整个信号中是否含有有用信号。仿真结果表明,该方法的检测性能远优于传统的能量检测器,在信噪比大于-20dB时具有较高的检测概率。 相似文献