全文获取类型
收费全文 | 10000篇 |
免费 | 2015篇 |
国内免费 | 2636篇 |
专业分类
化学 | 4521篇 |
晶体学 | 200篇 |
力学 | 415篇 |
综合类 | 206篇 |
数学 | 943篇 |
物理学 | 3161篇 |
无线电 | 5205篇 |
出版年
2024年 | 44篇 |
2023年 | 168篇 |
2022年 | 393篇 |
2021年 | 346篇 |
2020年 | 314篇 |
2019年 | 269篇 |
2018年 | 288篇 |
2017年 | 424篇 |
2016年 | 344篇 |
2015年 | 483篇 |
2014年 | 612篇 |
2013年 | 742篇 |
2012年 | 839篇 |
2011年 | 792篇 |
2010年 | 788篇 |
2009年 | 868篇 |
2008年 | 917篇 |
2007年 | 868篇 |
2006年 | 886篇 |
2005年 | 705篇 |
2004年 | 576篇 |
2003年 | 354篇 |
2002年 | 365篇 |
2001年 | 400篇 |
2000年 | 413篇 |
1999年 | 287篇 |
1998年 | 142篇 |
1997年 | 127篇 |
1996年 | 105篇 |
1995年 | 83篇 |
1994年 | 75篇 |
1993年 | 71篇 |
1992年 | 72篇 |
1991年 | 54篇 |
1990年 | 62篇 |
1989年 | 62篇 |
1988年 | 46篇 |
1987年 | 48篇 |
1986年 | 44篇 |
1985年 | 37篇 |
1984年 | 36篇 |
1983年 | 31篇 |
1982年 | 17篇 |
1981年 | 16篇 |
1980年 | 12篇 |
1979年 | 10篇 |
1978年 | 5篇 |
1959年 | 1篇 |
1954年 | 1篇 |
1936年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
41.
基于改进遗传算法的布局优化子问题 总被引:2,自引:0,他引:2
本针对子问题,构造了布局子问题(关于同构布局等价类)的改进遗传算法。将该算法应用于二维布局优化子问题,数值实验表明该算法能够在很好地保持图元的邻接关系的前提下找到子问题的最优解。由于布局优化问题可分解为有限个子问题,所以利用该算法可以找到整个布局优化问题的全局最优解。 相似文献
42.
本文首先阐述了管制的概念内涵以及进行管制的必要性 ,并对影响管制的主要因素进行分析 .随后运用管制经济学和规范经济学的基本理论 ,考察公路货运业行业管制制度的变迁与管制效果 ,对管制失效的原因加以分析 .最后对加入 WTO后如何对公路运输行业进行管制加以探讨 相似文献
43.
报道了一种弥散型金属薄膜逾渗系统的制备方法和研究结果。从实验发现这种新型的逾渗系统具有异常的R-I关系、三次谐波系数与独特的电流临界规律。分析表明:这些特性与此类薄膜逾渗结构随电流增大而逐渐变化的过程有关,是由沿膜横向逐渐变化的局域隧道电流(LDTC)与跳跃电导(LDHC)效应引起的。 相似文献
44.
45.
46.
研制出了用于计算氚投料量在FEB聚变堆各个子系统中的分布及其随时间变化的数值模拟程序包SWITRIM。通过近5年的使用,表明其运行良好、计算结果可靠。用SWITRIM数值模拟研究了聚变堆起动过程中的“氚坑深度和氚坑时间”新现象。简单介绍了SWITRIM程序包的组成和用户使用说明以及最新的运用等。 相似文献
47.
48.
49.
当产品质量指标服从二元正态分时,可用T2控制图与Λ控制图联合判断产品生产的过程是否处于受控状态。本文利用T2统计量与F统计量、Λ统计量与F统计量之间的关系,得到了两指标情形下两类基于F分布统计量的统计过程控制图,简称双F统计过程控制图,并给出了控制图应用实例。 相似文献
50.
Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献