PINT铁电晶体的助熔剂法制备工艺与介电性能

用助熔剂法制备了准同型相界附近的弛豫铁电体基钛铌铟酸铅（Pb（In1／2Nb12）0.63Ti0.37O3，简称PINT）铁电单晶体，研究了四氧化三铅（Pb3O4）与二氟化铅（PbF2）助熔剂对钙钛矿结构相稳定性的不同作用。用四氧化三铅（Pb3O4）和三氧化二硼（B2O3）作为助熔剂获得尺寸达5mm的纯钙钛矿相结构PINT单晶体，利用显微分析方法、X射线衍射技术研究了单晶体的微观形貌和相结构，测量了〈100〉取向单晶体样品的介电温度谱。     

均匀沉淀法制备纳米氧化锌研究

以六水硝酸锌为锌源、氢氧化钠为碱源、甲醇溶液作为溶剂,采用均匀沉淀法合成了纳米氧化锌.实验结果表明制备出的纳米氧化锌为纯相六角纤锌矿结构氧化锌.通过X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等测试手段对所得产物的组成、形貌、结构进行了研究.该方法制备的纳米氧化锌平均粒径在11 nm左右.     

一种条件接收系统发送端的实现方法

介绍了条件接收系统发送端ECMG、EMMG、加密模块、复用加扰模块和SMS的实现方案,并从实践的角度验证了设计的合理性与可靠性.     

空时格码和OFDM系统联合建模及性能分析

发射端分集、编码和调制结合空时格码，可以有效地提高信号在无线衰落信道中传输的有效性和可靠性；在正交频分复用调制OFDM(Omiogonal Frequency Division Multiplexing)系统中应用空时格码可以有效地对抗多径干扰，提高系统容量，适合于在高速无线数据通信中采用。本文详细地说明了它们结合的基础，进而构造了一个基于空时格码的OFDM系统模型，并分析了在高斯信道下的系统性能。     

北方电讯NSAM设备在河南广电干线传输网中的应用

针对北方电讯NSAM设备在广电系统中的实际应用作了较为详尽的论述,不仅能让读者对该设备有所了解,更主要的是作者根据多年通信机房实际运维工作总结出很多日常维护及实际故障处理的宝贵经验,可作为相关工程技术人员日常维护工作的参考.     

硅压阻式传感器的温度特性及其补偿

基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计 ,讨论了减小其温度影响的措施。文中对在相同的硅基底上 ,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性 ,特别是温度特性进行了探讨和比较。针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器 ,设计、选择了加工工艺 ,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式 ,讨论了传感器补偿电路的实现方案     

Hardy空间上一类带可变核的积分算子

本文给出了一类带可变核的奇异积分算子的（Hp,Lp）有界性及分数次积分算子的（Hp,Lq）有界性（0相似文献   

开放的V型系统中导致无反转激光分岔的比较

利用开放的V型系统密度矩阵运动方程组的零级稳态解，从定性分析和数值计算两个方面讨论了导致无反转激光的途径。研究结果表明：系统可以通Pitchfork分岔和Hopf分岔两种失稳机制产生无反转激光，激光腔损失，非饱和激光跃迁增益、原子退出速率和注入速率的变化对无反转激光的产生有明显的影响。     

溶胶-凝胶提拉法制备MgxNi1－xO薄膜与表征

利用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240～280nm)内的MgxNi1－xO薄膜．XPS和XRD结果显示，MgxNi1－xO在1000℃下形成具有立方结构的固溶体；紫外可见吸收谱结果表明，MgxNi1－xO吸收边随着Mg含量的变化而发生改变，当Mg含量x在0.2～0.3之间时，薄膜的吸收边波长在248～276nm范围内可调;光电响应测试结果表明，MgxNi1－xO薄膜（ｘ＝0.3）对太阳光不敏感,而对波长为254nm的紫外光具有很好的光电导特性，光照前后薄膜电阻变化率达40％，因此，我们可以认为MgxNi1－xO（x=0.2～0.3）薄膜材料有望应用于日盲区的紫外探测．     

GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制

用Si分子束外延技术在GaP(111)衬底上生长Si时,发现Si外延层表面存在P偏析,根据俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED)在一系列不同实验条件下的结果,本文对P偏析产生的机制、外延层表面再构与P偏析之间的关系作了分析和讨论,得出偏析主要来自外延Si原子与衬底P元素之间的相互交换。在此基础上提出了一种能有效地抑制P偏析同时又改善外延层质量的新的Si/GaP(111)异质结制备方法。 关键词：