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21.
构建并分构了抗生素调节的单种群chemosta模型 ,得到了依赖于抗生素输入浓度的微生物种群绝灭和一致持续生存的充分条件 .  相似文献   
22.
 Li3N、Mg3N2和Ca3N2是高温高压下以hBN为原料合成cBN的催化剂。在实验中发现它们对常压高温下生成hBN的反应也表现出催化作用。对比了三种氮化物催化效果的差异,发现三种氮化物都只有在熔融状态下才能表现出催化效果,以及三种氮化物对生成hBN反应的催化效果与它们在高温高压下合成cBN反应的催化效果次序相似。提出了对合成hBN有催化作用的化合物也将对合成cBN表现出催化作用的观点。  相似文献   
23.
MATLAB/SIMULINK在电力系统仿真中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了Matlab/Simulink仿真工具在电力系统仿真中的应用方法.  相似文献   
24.
in order to study non-indutive plasma current production, the lower hybrid current drive(LHCD) experiment on the HL-2A tokamak is carried out. Simultaneously a microcomputer has been used to control the whole LHCD system. During the experiment this year, we can monitor and protect the LHCD system by use of the microcomputer control system, which will imediately switch off the microwave power to be launched into the tokamak if the plasma is disrupted. All this ensure that the microwave is injected into the equipment correctly.  相似文献   
25.
计算了在不同对流混合参数下,8M⊙和1.3M⊙恒星由主序阶段到红巨星阶段的演化.得出以下主要结论:不同大小的混合参数导致了恒星在HR图中的演化轨迹、对流外壳的第2次向内延伸深度和回退程度、氢壳层源的温度和产能率,以及氦燃烧核的寿命等有显著差别,还注意到8M⊙恒星混合参数α≥2.2时会出现第2次蓝拐.  相似文献   
26.
单光子态的产生与测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了通过自发参量下转换产生单光子态的实验研究,使用中心波长425 nm的飞秒脉冲泵浦Ⅰ类非共线相位匹配的BBO晶体,在实验上得到单光子计数率为2.978×10-4,并分析了实验中的相关问题.  相似文献   
27.
离子束辅助沉积制备高功率激光薄膜的研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
综述了离子束辅助沉积技术在高功率激光薄膜制备中的应用研究进展.指出该技术在制备高激光损伤阈值的薄膜中存在的问题,即出现过高的堆积密度,会给薄膜带来杂质缺陷、化学计量比缺陷、损伤缺陷、晶界缺陷,制备薄膜的残余应力存在着压应力增加的趋势,会改变薄膜的晶体结构等.并指出了该研究领域的研究方向.  相似文献   
28.
Based on Chun-Ching Shih's idea, the basic transform was substituted and the quasi-ChunChing Shih's fractional Fourier transform with periodicity of 2, 3 and M was deduced. The two former transforms and the Chun-Ching Shih's fractional Fourier transform were only the particular cases of quasiChun-Ching Shih's fractional Fourier transform with periodicity of M.  相似文献   
29.
本文针对调制阶数大于4的MPSK和MQAM调制,在重传中采用非均匀星座图和符号比特重新排序,提出了一种改进的ARQ方案。通过对AWGN信道下ARQ方案进行理论分析和数值仿真,表明基于非均匀星座的新方案在信道条件较差时能有效地提高重要比特的可靠性,若重传中结合符号比特重排和分组合并,则可使接收端解调合并后的比特可靠性趋于均匀且总体得到提高,从而有效地减少重传次数,提高系统的吞吐率。由于本文所提方案并不改变调制解调规则和数据分组长度,故容易实现和控制。  相似文献   
30.
Analysis and Simulation of S-shaped Waveguide in Silicon-on-insulator   总被引:1,自引:1,他引:0  
The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively.  相似文献   
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