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71.
设R是环,M是R-拟连续左R-模.如果R关于形如l(m),m∈M的左理想满足升链条件,则M可写成一致子模的直和.  相似文献   
72.
扈生彪  马海成 《数学研究》2002,35(3):338-341
给出了线和n-2的n阶(0,1)-矩阵的最大积和式的积分表达式,并证明了该积分表达式与[1]得到的组合表达式等价。  相似文献   
73.
一种新型彩色三维光学成像系统   总被引:7,自引:4,他引:3  
张宗华  彭翔  胡小唐 《光学学报》2002,22(8):94-998
提出一种新型三维彩色光学数字成像系统。此系统利用投影结构光对现实世界中的物体进行数字化,同时得到对应的彩色纹理。详细介绍了系统的硬件设计和软件体系结构设计,得到物体彩色纹理的两种不同方法;直接获取和从编码条纹中提取,给出了用该系统得到的实验结果并简单评价了系统的性能。此系统在反求工程、影视制作、三维游戏制作、医学应用等方面有远大的应用前景。  相似文献   
74.
基元阀在汽轮机进汽阀研究中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
阀碟型线对汽轮机进汽阀的性能影响很大,本文设计了三种形式的基元阀,通过数值模拟手段研究了阀碟型线对流场的影响;得出了不同阀碟形式的性能.  相似文献   
75.
激光产生的铝、硅、氧、铜、硒等离子体X光谱   总被引:7,自引:3,他引:4  
利用长晶格的OHM晶体谱仪,从激光等离子体中获得丰富的铜、硒类氖、类氟、类钠离子的二、三、四级软X射线衍射光谱和铝、氧、硅的类氢、类氦、类锂离子一到四级谱,波长在14~40(?)之间,在此基础上,本文较为细仔地分析了各光谱结构.  相似文献   
76.
O在Au(111)表面吸附的密度泛函理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
应用密度泛函理论,本文系统地研究了O在Au(111)表面上的吸附能、吸附结构、功函数、电子密度和投影态密度,给出了覆盖度从0.11ML到1.0ML的范围内,O的吸附特性随覆盖度变化的规律.研究发现O的稳定吸附位为3重面心立方(fcc)洞位,O在fcc洞位的吸附能对覆盖度比较敏感,其值随着覆盖度的增加而减小;O诱导Au(111)表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系,原因是Au表面电子向O偏移,形成表面偶极子;O—Au的相互作用形成成键态和反键态,且反键态都被占据,造成O—Au键很弱,O吸附能较小. 关键词: 表面吸附 Au(111)表面 密度泛函理论 电子特性  相似文献   
77.
级联三能级介质中非线性光学信号的增强   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
杜丹  胡响明 《物理学报》2006,55(10):5232-5236
揭示非最大相干可能比最大相干产生更有效的非线性频率转换. 为此以三能级级联系统(没有最大相干)为例计算其非线性光学信号的强度, 并与三能级Λ型系统(具有最大相干)进行比较. 利用非微扰方法计算表明, 在双光子共振和相同参数的条件下, 级联系统产生的非线性光学信号的最大强度约是Λ系统的两倍. 利用缀饰态表象分析表明, 两个系统中耦合跃迁的自发辐射及其介入的不可逆三光子过程具有相反的作用. 它们在级联系统中加强非线性转换, 而在Λ系统中削弱非线性转换. 关键词: 电磁感应透明 非线性光学过程 双光子共振  相似文献   
78.
二项式光场与级联三能级原子的量子纠缠   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
利用量子熵理论,研究了二项式光场与级联三能级原子的量子纠缠,讨论了光场与原子的初始参量对其量子纠缠性质的影响.结果表明,利用二项式光场的特性,可以揭示从相干态到数态之间的所有态光场与三能级原子相互作用时的量子纠缠性质.选择适当的系统参数可以制备稳定的光场-原子qutrit纠缠态. 关键词: 二项式光场 级联三能级原子 光场熵 量子纠缠  相似文献   
79.
直径对脉冲爆震发动机性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文通过实验研究了脉冲爆震发动机的直径对其性能的影响.实验结果表明;当爆震室的直径增大时,爆震波压力波形相似,平均峰值压力比较接近,且比冲基本保持不变,而推力则随爆震室直径的增大而增大。实验曲线表明爆震室内的流动具有自相似性,从而为建立尺寸律提供了实验依据.本文中比冲和平均推力是利用摆动原理测量的,并与由作用在推力壁上的压力计算得出的比冲和平均推力的理论值和实验值进行了比较,结果基本吻合,说明该测量方法可行.  相似文献   
80.
代月花  陈军宁  柯导明  孙家讹  胡媛 《物理学报》2006,55(11):6090-6094
从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度. 关键词: 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场  相似文献   
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