La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.     

高压下制备的累托石/酚醛树脂复合材料微结构和热性能研究

 采用物理方法在高压下制备了酚醛树脂（PF）/累托石（REC）纳米复合材料,用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）及热分析（DSC/TGA）等方法,研究了复合材料的物相、显微结构以及热学性能。结果表明,不通过层间高分子聚合反应,不预先对累托石进行有机化处理,在高压下,由聚合物分子插入粘土层间,可以形成剥离型树脂/粘土纳米复合材料,并且其热学性能发生了较大的改变。     

Judd--Ofelt analysis of spectra and experimental evaluation of laser performance of Tm3+ doped Lu2SiO5 crystal

This paper reports that the Tm^3＋：Lu2SiO5 （Tm：LSO） crystal is grown by Czochralski technique. The roomtemperature absorption spectra of Tm：LSO crystal are measured on a b-cut sample with 4 at.% thulium. According to the obtained Judd-Ofelt intensity parameters Ω2=9.3155×10^-20 cm^2, Ω4=8.4103×10^-20 cm^2, Ω6=1.5908×10^-20 cm^2, the fluorescence lifetime is calculated to be 2.03 ms for ^3F4 → ^3H6 transition, and the integrated emission cross section is 5.81×10^-18 cm^2. Room-temperature laser action near 2μm under diode pumping is experimentally evaluated in Tm：LSO. An optical-optical conversion efficiency of 9.1% and a slope efficiency of 16.2% are obtained with continuouswave maximum output power of 0.67 W. The emission wavelengths of Tm：LSO laser are centred around 2.06μm with spectral bandwidth of -13.6 nm.     

Cr（V）与H2络合物的EPR信号

Cr交换丝光沸石在氢气氛中强烈还原并冷却后,出现了一个各向同性的EPR信号,g值2.003,△H_PP 13.4 gauss.采用EHMO方法计算了各种可能模型化合物的g值,结果建议这一信号对应Cr(V)与H₂分子形成的络合物。     

大模场啁啾光纤光栅的光谱特性

 将一种矩阵算法拓展应用于数值求解多模耦合模微分方程, 并使用该矩阵算法对大模场啁啾光纤光栅的光谱特性进行了理论研究。结果表明, 大模场多模光纤光栅因模式的自耦合和互耦合而使反射谱存在多个反射峰, 这与单模光纤光栅的反射谱不同。由于光栅周期存在啁啾, 大模场光纤光栅的反射峰分裂, 且峰值反射率减小。使用高斯切趾函数可使反射峰分裂在一定程度上得到改善。     

Effects of the strain relaxation of an AlGaN barrier layer induced by various cap layers on the transport properties in AlGaN/GaN heterostructures

The strain relaxation of an AlGaN barrier layer may be influenced by a thin cap layer above, and affects the transport properties of AlGaN/GaN heterostructures. Compared with the slight strain relaxation found in AlGaN barrier layer without cap layer, it is found that a thin cap layer can induce considerable changes of strain state in the AlGaN barrier layer. The degree of relaxation of the AlGaN layer significantly influences the transport properties of the two-dimensional electron gas (2DEG) in AlGaN/GaN heterostructures. It is observed that electron mobility decreases with the increasing degree of relaxation of the AlGaN barrier, which is believed to be the main cause of the deterioration of crystalline quality and morphology on the AlGaN/GaN interface. On the other hand, both GaN and AlN cap layers lead to a decrease in 2DEG density. The reduction of 2DEG caused by the GaN cap layer may be attributed to the additional negative polarization charges formed at the interface between GaN and AlGaN, while the reduction of the piezoelectric effect in the AlGaN layer results in the decrease of 2DEG density in the case of AlN cap layer.     

电化学沉积金属铜的分形枝晶生长控制与性能

 以CuSO_{4/sub>为前驱体,HCl为添加剂,采用电化学沉积方法,在室温条件下制得了μm级、面心立方结构分形铜的枝状晶体,研究了铜离子浓度、硫酸浓度、电流密度、沉积时间、氯离子浓度等实验参数对分形枝状铜晶体尺寸、结构的影响。结果表明：硫酸的浓度对铜沉积物结构无明显影响;随着Cu^{2+/sup>浓度的不断增大,铜沉积物的分形效果越来越明显;增大电流密度（0.4～1.6 A·cm-2/sup>）,铜沉积物由致密向多分枝的开放型转变;延长沉积时间（大于等于5 min）,可获得含大量次级分枝铜的晶体;适当增加盐酸用量（0.05～0.20 mol/L）,铜沉积物枝晶尺寸显著减小。最后讨论了分形枝晶铜在碱性条件下氧化甲醇的电化学性能。}}     

Cr4+:YAG被动调Q激光器输出特性

采用理论与实验相结合的方法研究了激光二极管阵列泵浦的Cr4+:YAG被动调Q Nd:YAG激光器的输出特性.重点分析了调Q晶体小信号透过率和反射镜的反射率对激光器的输出能量、脉冲宽度的影响.对数值模拟结果进行了实验验证,数值计算与实验结果基本一致.研究结果表明,在特定的激光晶体参数下,Cr4+:YAG被动调Q激光器的输出能量与脉冲宽度由调Q晶体的小信号透过率和输出镜的反射率决定:输出能量随着小信号透过率增加而减小,对应于一个调Q晶体透过率,有一个最佳反射率使输出能量最大;脉冲宽度随着初始透过率与反射率的增大而增大.     

一维 Frenkel-Kontorova(FK)模型原子链的相变研究

文章基于一维Frenkel-Kontorova模型,研究了边界原子的初始速度对原子链运动状态的影响,数值模拟结果表明:当v1时,原子处于"振荡区",当v₁2时,原子处于"混沌区",当v>v₂时,原子处于 "均匀区". 同时我们发现临界速度v₁和v₂随原子数目和垫底势高度的变化而变化. 关键词： Frenkel-Kontorova(FK)模型 相变     

中性及其带电Cun(n=2-12)团簇体系的第一性原理计算研究

结合半经验原子间势及遗传算法,采用密度泛函理论,系统计算研究了Cun(n=2-12)及Cun±(n=2-12)的基态与低激发态的几何结构与电子结构.结果表明：对中性团簇在n=3-6时基态为平面结构,而对于带电体系n=3-5时基态为低维结构,其中平面结构都以三角形为基本单元;对含更多原子的立体结构,基态主要以五角双锥为基本结构单元,传统的高对称性结构在小铜团簇基态中不占优势;计算所得Cun(n=2-12)中性体系结合能与实验结果完全一致,而结合带电体系计算所得团簇电离能与亲和势也与实验相符合;团簇电子结构的相关曲线（电离能、亲和势、二阶差分能）均呈现明显的奇偶振荡现象,这与含偶数电子Cu团簇的相对高稳定性密切相关。