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32.
连续一级反应的热动力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文把时间比法引入热动力学研究,建立了连续一级反应的热动力学研究法,并用来研究了一个连续反应体系的热动力学,验证了该方法的正确性. 相似文献
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深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物. 相似文献
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1概述
1.1传统计费模式与内容计费模式的比较
在传统的计费模式中,电信运营商仅能获得用户的行为数据,如通话时长、通话费用、通话时段等。而通过内容计费则能够获得更多的信息,及时掌握用户的实际需求。例如,通过内容计费可以发现:如果用户A从某网购买了很多婴幼儿产品,电信运营商就会判断该用户家中可能有个刚出生的宝贝;如果用户B经常从某网订购国内外足球联赛的有关新闻,电信运营商因此可以判断该用户可能是一个足球迷。 相似文献
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A novel thermo-responsive 2,9(10),16(17),23(24)-tetrakis[(3-carboxyacrylamide) phthalocyaninato] zinc (ZnPc)-g-TiO2-g-poly(N-isopropylacrylamide) (PNIPAM) photocatalyst modified with phthalocyanines was prepared. The photocatalyst exhibited thermo-responsive properties due to the introduction of PNIPAM, which performed recovery for reuse above the lower critical solution temperature (LCST, about 26 °C). ZnPc-g-TiO2-g-PNIPAM effectively expanded the light response range to the visible light region and inhibited the recombination of electron–hole pairs, which enhanced the performance of the photocatalyst. As expected, ZnPc-g-TiO2-g-PNIPAM (0.3 g/L) exhibited excellent photocatalytic performance for the removal of Rhodamine B (RhB, 1.0 × 10−5 mol/L) and methylene blue (MB, 1.0 × 10−5 mol/L) under visible light, which reached 97.2% and 88.6% at 20 °C within 40 min, respectively. Furthermore, the influence of temperature upon photocatalytic performance was also investigated. When the temperature increased from 20 °C to 45 °C, the removal of RhB decreased by approximately 53.8%. The stability of the photocatalyst demonstrated that the photocatalytic activity was still above 80% for the removal of RhB after 3 cycles. Above all, this work provided an intelligent thermally responsive photocatalyst based on phthalocyanine for water purification under visible light. 相似文献
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高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜.采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN外延层质量的影响.通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对成核层AlN薄膜的表面形貌进行表征;使用高分辨X射线衍射仪对AlN外延层晶体质量进行表征,结果表明:在溅射成核层上生长的AlN外延层的晶体质量有显著提高.使用大型工业MOCVD在蓝宝石衬底上成功制备出中心波长为282 nm的可商用深紫外LED,在注入电流为20 mA时,单颗深紫外LED芯片的光输出功率达到了1.65 mW,对应的外量子效率为1.87%,饱和光输出功率达到4.31 mW. 相似文献
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弹道目标平动补偿与微多普勒特征提取方法 总被引:2,自引:0,他引:2
针对传统逆合成孔径雷达(ISAR)成像中的平动补偿方法并不适用于弹道目标平动补偿的问题,该文提出了一种弹道目标平动补偿与微多普勒(m-D)特征提取方法。在分析有翼弹道目标未完成平动补偿时的m-D效应的基础上,首先采用形态学中的骨架提取方法抑制1维距离像旁瓣,再在快时间频率(距离)-慢时间平面上搜索分离各散射点的m-D特征曲线,然后对其进行经验模式分解(EMD)分解,利用分解结果中的趋势项分量完成目标回波的平动补偿,并通过分析EMD分解结果获得了目标的自旋频率、锥旋频率等特征信息。仿真实验验证了所提方法的有效性与鲁棒性。 相似文献