通过温度控制LEC—GaAs单晶化学配比的实验研究

通过温度压力改变，使整个ＬＥＣ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶。单昌表面离和，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥ－ＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单昌位错密度的影响。     

总体最小二乘法在惯导原位标定中的应用

惯导系统原位标定是提高恒战状态下惯导性能的重要手段.在原位标定输入输出观测数据均含有噪声的情况下,应用传统的最小二乘法进行参数辨识将会得到有偏的结果.因此,为了提高惯导误差参数的标定精度,研究了总体最小二乘法在惯导原位标定数据处理中的应用.首先给出一种16位置标定方案,推导了考虑框架轴、陀螺和加速度计安装误差的惯导系统...     

电子发光线（EL）柔性发光线做小制作非常容易

电场能够激励荧光材料发光，这个原理叫作场致发光效应。自20世纪70年代中期以来，这种冷光源作为平板的背光应用在一些仪器和小型显示器上面。     

数字音频工作站在影视剧译制中的作用

影视剧译制对于丰富大众的文化生活,提高人们的文化素养,促进社会的和谐稳定发展,沟通各国人民之间的思想文化交流,起着积极的作用.通过影视剧译制片,观众可以生动地感受到不同民族、不同国度、不同文化背景下人们的生活情况,了解不同的文化理念、感受不同的文化氛围.在复杂的影视剧译制工作中,数字音频工作站起着至关重要的作用.本文对影视剧译制工作中有关数字音频工作站所起的作用进行了分析.     

半绝缘GaAs的表面光伏谱研究

利用表面光伏法（ＳＰＶ）研究了半绝缘ＧａＡｓ（ＳＩ－ＧａＡｓ）的缺陷态,通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏向应主要是由于表面复合而在样品表面形成协流子浓度梯度引起的,通过实验表明ＳＰＶ是一种对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法。     

光学扫描系统的效率标准

引言在光发射阴极上可复现光学象,如电视场允许,合成的电子发射图样就能成为光子图样的准确再现。这种电子发射图样,只能按照随空间和时间变化的光的图样而变化。可用电子束产生一维时间扫描,然后用电子束摄象管,光导摄象管和析象管等许多方法加以放大。电场可简单地由电于在电场中加速或电子在波导中倍增放大,直接聚焦在萤光屏上,而产生放大了的光电阴极上的可见图象,如现在的象增强管就是如此。然而,在超过几个微米的波长上,敏感     

Structural Stability of CaCuMn6O12 under High Pressure and Low Temperature

In situ high pressure energy-dispersive x-ray synchrotron radiation diffraction and resistance experiments are carried out on CaCuMn6O12. Its crystal structure is stable in the measured pressure range. The equation of state of CaCuMn6O12 is obtained from the V/Vo - P relationship （V and Vo are the volumes at pressure P and at atmosphere）. The bulk modulus Bo is calculated based on the Birch-Murnaghan equation. Low temperature x-ray diffraction shows no phase transition occurring down to 160K.     

Shear Viscosity to Non-Equilibrium Entropy Density Ratio of Hot Quark-Gluon Plasma at Finite Chemical Potential

In the framework of irreversible thermodynamics, we study the transport properties of hot quark-gluon plasmas. The viscous entropy production at finite chemical potential as well as the shear viscosity to non-equilibrium entropy density ratio is investigated in weakly coupled limit by using kinetic theory. The results show that the chemical potential contributes positively to their ratio compared to the pure temperature case. The ratio exhibits two boundaries in the coupling strength in which a minimum value of 0.42 is found at αs=0.6.