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11.
Understanding and control of the surface properties such as molecular orientations are of great importance in numerous applications of ionic liquids. However, there remain discrepancies among the previous experimental and theoretical studies on the surface orientation and structures of room temperature ionic liquids(RTIL) systems. In this article, the orientation of 1-butyl-3-methylimidazolium([bmin]) cation at the air/liquid interface of a characteristic RTIL, 1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate([bmim][PF6]), was investigated by the sum frequency generation vibrational spectroscopy(SFG-VS). Detailed polarization and experimental configuration analyses of the SFG-VS spectra showed the possibility of a small spectral splitting in the CH3 symmetric stretching region, which can be further attributed to the probable existence of multiple orientations for the interfacial [bmim] cations. In addition, the(N)–CH3 vibrations were absent, ruling out the prediction by several recent molecular dynamics simulations which state that portions of the [bmim] cations orient with a standing-up(N)–CH3 group at the ionic liquid surface. Hence, new realistic theoretical models have to be developed to reflect the complex nature of the ionic liquid surface.  相似文献   
12.
本文以“扩频通信技术与应用”课程为例,探讨新工科理念下工程学科实践教学改革,具体措施包括:开展虚拟仿真实验,充分发挥双师型教师的主观能动性,开展MATLAB仿真训练、工程技术实训及相关的创新创业训练,结合企业实习以及开展国际交流合作等。  相似文献   
13.
Summary Carbon deposits on the surface ofRu/Fe2O3 catalysts used in the water-gas shift reaction have been investigated by Auger Electron Spectrometry. A correlation has been found between the thickness of the carbon deposit and the catalytic activity in WGSR. The carbon deposit covers the metallic active centers and blocks their contact with reagents. The dotting of the iron oxide support with sodium has been found to reduce the amount of carbon deposit. .   相似文献   
14.
A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi2 nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n+-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO2 and 300 nm Si3N4. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi2 layer and a subsequent out-diffusion process to form the n+-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated.  相似文献   
15.
农村通信如何"突围"   总被引:2,自引:0,他引:2  
宋军  刘云 《世界电信》2003,16(10):3-5
农村通信作为农村地区信息化的基础,对于全面建设小康具有特殊的重要地位。介绍了我国农村通信的发展现状,分析了农村通信发展的困难压其原因,最后对农村压边远、欠发达地区通信的均衡震展提出了一些建议。  相似文献   
16.
欧文  李明  钱鹤 《半导体学报》2003,24(5):516-519
对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.  相似文献   
17.
GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真   总被引:11,自引:2,他引:9  
刘奕  陈海昕  符松 《半导体学报》2004,25(12):1639-1646
采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.  相似文献   
18.
计费帐务系统发展趋势分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
计费帐务系统作为业务运营支撑系统的重要组成部分。其发展方向日益受到运营商的关注。通过对计量帐务系统的研究,首先介绍了传统计费模式的现状以及存在的问题,然后结合各大公司产品对计责帐务系统的关键技术进行了分析,最后提出未来计费帐务系统的特征及对其发展趋势的展望。  相似文献   
19.
The γcmc values of CTAB-SDS decrease from 63.67 mN/m at 10‡C to 36.38 mN/m at 90‡C, slightly lower than those of either CTAB or SDS. Correspondingly, the CMC of CTAB-SDS decreases almost by half. The increase of surface activity of CTAB-SDS can be attributed to the relatively weak electrostatic interaction at high temperature, which is supported by the increase of solubility of CTAB-SDS with rise in temperature. Catalytic effect on oxidation of toluene derivatives with potassium permanganate follows the order CTAB-SDS > SDS > CTAB. This is not caused by the dissociative effect of CTAB-SDS with low surface activity at low temperature, as seen from the fact that almost all oxidative products can be retrieved for different toluene derivatives and surfactants by mimicking the conditions of reaction. In the emulsifications of toluene derivatives at 90‡C, the time that turbid water layers of surfactant solutions take to become clear is the same as that of the catalytic effect on oxidation of toluene derivatives. Thus, it can be inferred that surfactants can improve the oxidation yields of toluene derivatives by increasing the contact between two reacting phases.  相似文献   
20.
A new procedure for the selective oxidation of alcohols to the corresponding aldehydes and ketones with potassium permanganate supported on aluminum silicate at room temperature under solvent-free conditions and shaking is reported.  相似文献   
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