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81.
McCullagh-Barreto key agreement protocol and its variant achieve perfect forward security and key generation center (KGC) forward security, but provide no resistance to key compromise impersonation attack (KCI attack). In this paper, we give a formal treatment of key compromise impersonation (KCI) attack and define the security notion against it. Then an variant of McCullagh-Barreto protocol is presented with only one more Hash operation. The improved protocol preserves perfect forward security and KGC forward security, and furthermore is proved to be secure against KCI attack under k-Gap-BCAA1 assumption. 相似文献
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简单介绍了由加拿大Interactive Image Technologies公司为解决电子线路设计所遇到的种种目难而开发的一款实用性较强的专业软件——EWB的特点。介绍了一种由锁存器、优先编码器、同步可逆计数器以及555定时器等主要元件构成的带有数码显示功能的多路抢答器的设计和仿真过程。给出了基于EWB平台进行系统建模与仿真的方法。仿真结果表明,该方案原理正确,思路清晰,实用性强。 相似文献
83.
针对某密闭电源机柜的热设计要求,采用局部水风换热器循环风冷和冷板表面器件散热相结合的设计思路,以UG三维软件进行整体结构布局设计,再利用UG高级热流仿真模块进行热散耗功率仿真,从而较好地解决了电源机柜的变压器和隔离栅双极晶体管(IGBT)等重要器件的散热问题。整个方案具有设计合理、紧凑、可靠性高等特点。最后通过试验,验证了整个机柜热设计的合理性。 相似文献
84.
现代科学技术正处于一个飞速发展的时期,指纹识别技术已经融入人类生活各个领域中.在众多生物特征识别技术中,指纹识别技术作为一种最直观的技术被广泛应用.传统指纹识别技术存在一些弊端,例如需要人工设置指纹特征,并且需要多次调试,设计特征和选择分类器相对而言不易达成最优化,从而导致指纹识别率不达标.需要提出一种能够提高指纹识别准确率的方案.近些年随着机器学习技术的兴起,深度学习技术已经成为了当下的热门课题.而将深度学习技术与生物特征识别技术相融合也具有较明朗的前景.深度学习技术可以在海量数据中学习并分析,可以自动识别分析并学习指纹特征数据,从而减少人工工作量,同时达到提高指纹识别准确率的目的.本文简要介绍了深度学习与指纹识别技术的研究现状、存在的问题,并通过卷积神经网络对指纹识别技术做出了分析与改进.本文主要是希望通过对指纹识别技术的分析与改进帮助人们更深入地了解指纹识别的概念及运用,并促使生物特征识别技术能够获得高速发展. 相似文献
85.
86.
多分类器融合的指纹全局特征协同识别 总被引:3,自引:0,他引:3
指纹识别是生物特征识别中的热点,指纹全局特征识别具有明显的优势,但是单一分类器一般不能取得满意的识别效果。本文采用贝叶斯理论分析了常见的积、和、中值以及投票多分类器融合方法,并根据实际的选举情形,对投票法进行了2种改进。然后对3种指纹全局特征协同识别分类器:灰度值、主分量以及方向场分类器进行决策层融合,并采用了一种崭新而高效的协同模式识别方法。对FVC2002指纹库的实验表明:该方法具有较好的分类性能,预处理与特征提取简单、计算复杂度低、识别速度快、对污损指纹具有可靠的识别率、鲁棒性强,而且应用于身份认证中也取得了较好的认证效果。 相似文献
87.
MapBasic语言是地理信息系统(GIS)软件MapInfo提供给用户进行二次开发的一个系统工具,能够用来扩展MapInfo的功能。本文给出了在MapBasic开发环境中如何实现由二维矢量地图生成数字高程模型(DEM)和由数字高程模型(DEM)生成坡度图和坡向图,并给出了具体算法和实现过程。 相似文献
88.
选用35 MeV Si离子,针对NPN及PNP型双极晶体管(BJT)进行辐照实验,探究重离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷在不同发射结偏置条件下的影响规律。通过原位测试不同偏置条件的双极晶体管电流增益等参数随辐照注量的变化关系,研究了发射结偏置条件对双极晶体管辐射损伤的影响。此外,采用深能级瞬态谱(DLTS)针对辐照后的双极晶体管进行了测试,得到了双极晶体管内的辐射缺陷信息。基于电性能测试和DLTS分析结果可以看出,双极晶体管辐照时所施加的偏置条件能够明显地影响器件的电性能参数和器件内的深能级缺陷浓度,不同类型的缺陷对于电性能的影响也存在明显差异。 相似文献
89.
采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜.尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅射金属薄膜电极.通过对氧化钒-金属接触的电流-电压(I-V)测试的数据进行分析拟合,研究了氧化钒薄膜表面性质和测试偏压的变化对I-V特性曲线欧姆系数的影响.结果表明在化学计量比约为VO2.15的非晶氧化钒薄膜上,溅射的金属电极随着溅射功率和测试偏压的提高,I-V特性曲线的线性度得到了逐步的改善.通过比较Ni/Cr,Ti及Al不同金属电极的接触性能,提出了合理的欧姆接触工艺条件以及电极工作电压范围. 相似文献
90.