全文获取类型
收费全文 | 24733篇 |
免费 | 3986篇 |
国内免费 | 4065篇 |
专业分类
化学 | 13290篇 |
晶体学 | 495篇 |
力学 | 836篇 |
综合类 | 313篇 |
数学 | 1909篇 |
物理学 | 6166篇 |
无线电 | 9775篇 |
出版年
2024年 | 85篇 |
2023年 | 390篇 |
2022年 | 743篇 |
2021年 | 847篇 |
2020年 | 882篇 |
2019年 | 869篇 |
2018年 | 752篇 |
2017年 | 892篇 |
2016年 | 996篇 |
2015年 | 1257篇 |
2014年 | 1544篇 |
2013年 | 1833篇 |
2012年 | 2074篇 |
2011年 | 2188篇 |
2010年 | 1872篇 |
2009年 | 1950篇 |
2008年 | 2101篇 |
2007年 | 1931篇 |
2006年 | 1725篇 |
2005年 | 1438篇 |
2004年 | 1139篇 |
2003年 | 932篇 |
2002年 | 893篇 |
2001年 | 758篇 |
2000年 | 632篇 |
1999年 | 419篇 |
1998年 | 264篇 |
1997年 | 168篇 |
1996年 | 190篇 |
1995年 | 143篇 |
1994年 | 115篇 |
1993年 | 123篇 |
1992年 | 97篇 |
1991年 | 101篇 |
1990年 | 73篇 |
1989年 | 73篇 |
1988年 | 38篇 |
1987年 | 57篇 |
1986年 | 35篇 |
1985年 | 41篇 |
1984年 | 28篇 |
1983年 | 22篇 |
1982年 | 14篇 |
1981年 | 10篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 12篇 |
1978年 | 8篇 |
1977年 | 4篇 |
1976年 | 6篇 |
1974年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
42.
43.
44.
两种拔尿管方法对膀胱功能损伤的临床观察 总被引:2,自引:0,他引:2
为观察两种不同的拔尿管方法对膀胱功能损伤的差异,将80例患者随机分成两组,分别采用改良法(40例)和常规法(40例)拔除留置尿管,分析比较了两组患者排尿顺利率、逼尿肌功能恢复率及尿道刺激症、尿失禁、尿潴留。结果表明,两组患者拔管后上述指标与情况有显著性差异,P<0.05。提示改良组膀胱功能损伤明显低于对照组。改良的拔管方法是一种值得护理推广应用的好方法。 相似文献
45.
46.
研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2. 相似文献
47.
We have investigated the effect of extended dislocations (0.5-3 μm) on charge distribution in GaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition on (0001) sapphire using atomic force microscopy (AFM) and scanning surface potential microscopy (SSPM). It has been observed for the surface at the extended dislocations present in undoped GaN film to be negatively charged showing 0.04-0.2 V higher potential relative to regions that contain no dislocations. In addition to the higher potential at the dislocation core, the surrounding surfaces, including the edge of the dislocations, are also negatively charged in a symmetric way around the dislocations revealing crater-shaped higher potential regions (∼0.04 V) relative to surrounding dislocation-free area. The experimental results show that the protrusion-type of dislocation is also negatively charged and its potential is dependent on the size of dislocation. 相似文献
48.
AAS测定纸巾中的铅和镉 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用原子吸收光谱法测定纸巾中铅、镉的含量。结果表明,不同纸巾中的污染元素铅、镉的含量不同。同时还对一种纸巾的铅、镉元素进行了回收实验,回收率在92%-104%之间。 相似文献
49.
50.
Xuetian Huang Lei Zhang Min Zhang Peida Ye 《Photonics Technology Letters, IEEE》2005,17(7):1423-1425
The performance degradation of differential quadrature phase-shift keying (DQPSK) wavelength-division-multiplexed (WDM) systems due to self-phase modulation (SPM)- and cross-phase modulation (XPM)-induced nonlinear phase noise is evaluated in this letter. The XPM-induced nonlinear phase noise is approximated as Gaussian distribution and summed together with the SPM-induced nonlinear phase noise. We demonstrate that 10-Gb/s systems, whose walkoff length is larger than 40-Gb/s systems', are more sensitive to XPM-induced nonlinear phase noise than 40-Gb/s systems. Furthermore, DQPSK WDM systems show lower tolerance to both SPM- and XPM-induced nonlinear phase noise than differential phase-shift keying WDM systems. 相似文献