陶瓷介质加载四臂螺旋天线

微波陶瓷介质加载的四臂螺旋天线,体积显著减小,而性能基本不变,是应用在小型化卫星导航定位设备中的理想天线。在介绍四臂螺旋天线结构组成、工作原理和发展过程的基础上,讨论了陶瓷介质加载四臂螺旋天线的特性和制作方法,并指出了存在问题和今后的研究方向。     

一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术

总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。     

基于PCI总线的电视图像处理仿真系统设计

为便于科研人员在电视图像处理系统设计过程中对图像处理的新算法进行评估和测试,降低评估测试板硬件电路的设计复杂性,在此提出了解决方案,并实现了基于PCI总线的电视图像实时仿真系统的设计。该系统首先通过PCI插卡实现对电视图像进行采集、预处理和视频A／D转换,然后选用具有高速特性的PCI总线将数字化后的数字图像信息写入计算机系统内存,最后在计算机终端上,使用高级语言编程,完成图像处理和控制接口软件开发,实现计算机软件对PCI硬件设备的访问,数字图像的实时处理、分割、匹配等算法仿真。     

面向物联网的轻量级可验证群组认证方案

随着物联网应用的广泛扩展,越来越多的物联网设备出现在人们的日常生活中,包括智能电表、智能家居、智能穿戴等.它们在带给人民生活便利的同时,由于物联网设备通过无线开放信道进行交互,造成诸多安全和隐私问题的出现.身份认证是解决物联网安全和隐私问题的关键技术之一.传统的点对点认证方案没有考虑到物联网海量节点和节点资源受限的情况...     

基于CUDA的压缩感知重构算法并行化研究

压缩感知重构算法存在计算量大、运行时间过长的问题,无法满足人们对算法处理实时/准实时性要求。最近几年,GPU计算能力得到很大的提升,已成为提高算法处理速度最有效的方式之一。根据GPU的硬件特性,文中提出了基于CUDA的压缩感知重构算法的并行设计。实验结果表明:在NVIDIA K20Xm平台上运行,并行算法取得的加速比可达到100X。     

激光诱导击穿光谱技术在燃煤电厂及土壤污染物在线检测中的应用研究

介绍了自主研发的激光诱导击穿光强技术（LIBS）煤质在线检测设备,可完成自动取样并带有自清洁系统,能实时对电厂输煤管道中煤粉的C、Ca、Mg、Ti、Si、H、Al、Fe、S等元素进行自动定量分析并转化为工业分析（发热量和灰分）结果。提出了飞灰含碳量在线检测成套方案并研制了自动采样及LIBS检测装置,建立了去除C线中Fe线的数学方法,利用二阶多元非线性逆回归模型建立了定标方程来校正基底效应,获得了0.26%的C元素测量精度。开发了便携式LIBS设备用于土壤污染物的现场检测,可对土壤中的重金属污染物进行快速的定性分析。     

基于STM32的智能植物照料系统设计

随着人们生活质量的提高,许多人都会在家里养一些植物,但是在生活中人们有时会因工作繁忙无暇顾及植物的生长状况.由此本文设计了一种以STM32为主控芯片,配合多种传感器实现智能照料植物系统.此系统可以在植物无人照料的情况下实现智能浇水补光及定时施肥的功能,避免植物枯萎或者坏死,在人们工作繁忙的如今具有一定的实用价值.     

非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银/钛源漏电极的研究

为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件。实验发现,具有单层银源漏电极的器件电学特性较差,这是因为银与a-IGZO之间不能形成良好的欧姆接触。另一方面,通过增加钛中间层而形成的Ag/Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与a-IGZO形成较好的接触状态。最终制备的以Ag/Ti为源漏电极的a-IGZO TFT具有明显改善的电学特性,场效应迁移率为1.73cm~2/V·s,亚阈值摆幅2.8V/(°),开关比为2×10~7,由此证明了磁控溅射制备的银电极具有应用于非晶氧化物薄膜晶体管的实际潜力。     

超精密机床的压电作动器隔振系统研究

压电作动器是振动主动控制中最常用的一种执行机构。文章分析了各种压电作动器的特点及应用范围 ,并用压电陶瓷作动器对超精密机床实施振动主动控制。结果表明 ,该系统应用控制器克服了压电元件的迟滞特性、蠕变特性和非线性后 ,能有效的控制地基振动对超精密机床的影响 ,提高了超精密机床的加工精度     

基于PLD法制备ZnO:Eu3+,Li+薄膜的发光性质研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(111)衬底上生长了Eu3+、Li+共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)谱测试和光致发光(PL)谱分析,重点研究了退火处理对样品结构和发射光谱的影响。XRD谱测试表明,样品具有很好的C轴择优取向。PL谱研究表明,当用325nm光激发样品时,样品的发射光谱仅由ZnO基质的紫外发射和蓝光发射组成,并没有发现稀土Eu3+的特征发光峰;样品的蓝光发射源于电子从Zn填隙形成的浅施主能级到Zn空位形成的浅受主能级跃迁;和真空中退火的样品相比,O2中制备的样品的蓝光发射减弱,紫外发光增强。用395nm的光激发时,退火前样品分别在594nm和613nm处存在两个明显的Eu3+特征发光峰,退火后的样品仅发现Eu3+位于594nm的特征发光峰,这表明,退火处理不利于稀土离子的特征发射,但O2中退火的样品ZnO基质红绿波段发射光谱明显增强。